型号：UTT15P06L-TN3-R
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-1.5A (Ta=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(ON))：75mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(ON))：95mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：150pF @ VDS=20V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=20V
　　开启延迟时间(td(on))：15ns
　　关断延迟时间(td(off))：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UTT15P06L-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备出色的电学性能和可靠性。其最大漏源电压为-60V，能够满足多种中低压电源管理系统的需求。器件的低导通电阻特性使其在导通状态下功耗极低，有效减少能量损耗并提升整体系统效率。例如，在VGS = -10V时，RDS(ON)仅为75mΩ，这使得它在电池供电设备中尤其适用，有助于延长电池使用寿命。
　　该MOSFET具有良好的开关特性，开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为15ns和35ns，支持高频开关操作，适用于高速开关电源和同步整流等对响应速度要求较高的应用场景。其输入、输出及反向传输电容值较小，有助于降低驱动功率需求，并减少开关过程中的噪声干扰。
　　栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，意味着该器件可以在较低的栅极驱动电压下正常工作，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗过压能力，增强了器件在瞬态电压波动环境下的稳定性与安全性。
　　热性能方面，UTT15P06L-TN3-R的工作结温可达+150°C，具备优良的高温工作能力，适用于工业级环境温度变化较大的场合。SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，还具备良好的散热性能，通过优化的引脚设计实现有效的热量传导。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置和湿度敏感等级1级（MSL-1）认证，确保在恶劣环境下长期稳定运行。

UTT15P06L-TN3-R因其小尺寸、高效能和逻辑电平兼容性，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与电源路径切换。其低导通电阻和快速开关能力使其成为理想的负载开关元件，可用于防止系统上电时的浪涌电流或实现多路电源的选择性供电。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，该器件可用作同步整流器或高端开关，特别是在降压（Buck）转换器中作为上桥臂开关，配合控制器实现高效的电压调节。由于其P沟道特性，无需自举电路即可实现高端驱动，进一步简化了电源设计。
　　此外，UTT15P06L-TN3-R也常用于电机驱动电路、LED驱动电源、USB电源开关以及各类消费类电子产品中的信号切换与隔离功能。在工业控制领域，它可用于继电器替代方案或固态开关，提供无触点、长寿命的开关解决方案。其高可靠性和环保特性也使其适用于汽车电子外围模块、智能家居设备和物联网终端设备中，满足现代电子产品对小型化、节能化和绿色制造的要求。

UTT15P06L-TN3-F
　　DMG15P06L-7
　　AOD4184
　　SI2301BD-S16-T