时间：2025/12/27 7:46:41
阅读：11
UTT15P06G-TN3-R是一款由United Silicon Technology（联合硅）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种便携式电子设备及工业控制电路中的负载开关、电源切换和电机驱动等场景。其额定电压为-60V，最大持续漏极电流可达-15A，能够承受较高的功率负荷，同时在导通状态下保持较低的功耗，有助于提升系统整体能效。UTT15P06G-TN3-R封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的电气特性和可靠性，UTT15P06G-TN3-R广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、逆变器、电源适配器以及各类消费类电子产品中。
该MOSFET的设计优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，在确保快速开关响应的同时降低了驱动损耗。其负向阈值电压典型值为-2.2V左右，使得器件能够在逻辑电平信号下可靠地开启与关断，兼容多数控制器输出电平。此外，内置的体二极管提供了反向电流路径，增强了在感性负载应用中的安全性。总体而言，UTT15P06G-TN3-R是一款高性能、高性价比的P沟道MOSFET解决方案，适用于需要紧凑尺寸与高效能兼顾的应用场合。
型号：UTT15P06G-TN3-R
类型：P沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：-60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-15A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：-60A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@Vgs=-10V）；55mΩ（@Vgs=-4.5V）
阈值电压（Vth）：-1.2V ~ -2.5V
输入电容（Ciss）：1900pF（@Vds=25V）
开关时间（开启/关闭）：约20ns / 60ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：TO-252（DPAK）
安装方式：表面贴装
极性：P沟道
UTT15P06G-TN3-R采用了先进的沟槽栅极技术和超结结构设计，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其在-10V栅压下的典型导通电阻仅为45mΩ，即使在-4.5V的较低驱动电压下也能保持55mΩ的低阻值，这使其非常适合用于需要节能和高效热管理的电源系统。该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下持续运行而不发生性能退化。得益于其优化的晶圆工艺，UTT15P06G-TN3-R拥有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频开关应用中的动态响应能力。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力，能够在瞬态过压或短路条件下提供一定的自我保护机制，延长使用寿命并增强系统鲁棒性。其体二极管具有较低的反向恢复时间与软恢复特性，有助于抑制电压尖峰和电磁干扰，特别适用于开关电源和电机驱动等存在感性负载的电路中。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的散热性能，可通过PCB上的铜箔区域进行有效热传导，避免局部过热问题。此外，该器件支持自动贴片装配，适应现代SMT生产工艺流程，有利于提高生产效率和产品一致性。整体而言，UTT15P06G-TN3-R在性能、成本与封装之间实现了良好平衡，是中等功率P沟道MOSFET应用的理想选择之一。
UTT15P06G-TN3-R广泛应用于各类中高功率电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和小体积设计的场景。常见应用包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，在这些电路中作为上桥臂或下桥臂开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来降低能量损耗，提升转换效率。在电池供电设备如笔记本电脑、移动电源、电动工具和便携式医疗仪器中，该器件常被用作电池反接保护开关或主电源通断控制，实现安全可靠的电源管理功能。
此外，它也可用于电机驱动电路中的H桥结构，作为P沟道侧的驱动元件，控制直流电机或步进电机的正反转与启停操作。在工业控制系统中，UTT15P06G-TN3-R可用于继电器替代方案或固态开关模块，提供更长寿命和更低噪声的操作体验。由于其具备良好的热性能和电气稳定性，该器件同样适用于AC-DC适配器、LED照明驱动电源、逆变器和UPS不间断电源等电力电子设备中。在汽车电子领域，尽管非车规级，但在部分辅助电源模块或车载附件中也有应用潜力。总之，凡是需要P沟道MOSFET实现高压侧开关或负载控制的场合，UTT15P06G-TN3-R均能提供稳定且高效的解决方案。
SI7465DP-T1-E3
IRF9Z34NPBF
FDD8870
AUIRF9Z34S
NDT752AP
