类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：15A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs = -10V：≤75mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs = -4.5V：≤95mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-2V ~ -4V
　　输入电容（Ciss）：1800pF
　　输出电容（Coss）：650pF
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / DPAK

UTT15P06采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少导通状态下的功率损耗，提升能效表现。该器件在Vgs=-10V时的典型Rds(on)仅为75mΩ，即便在较低的驱动电压如-4.5V条件下也能保持低于95mΩ的导通阻抗，使其适用于对效率要求较高的开关电源和同步整流场合。低Rds(on)还意味着在大电流工作时产生的热量更少，有助于延长器件寿命并降低散热成本。
　　该器件具备优异的开关性能，得益于其合理的寄生参数设计。输入电容（Ciss）约为1800pF，输出电容（Coss）为650pF，使得其在高频开关环境下仍能保持较快的上升与下降时间，有效减少开关过渡过程中的能量损耗。此外，其反向恢复时间（trr）仅为30ns，表明其内置的体二极管具有快速响应能力，减少了在感性负载或桥式拓扑中可能出现的反向电流尖峰问题，提升了系统的动态响应与稳定性。
　　UTT15P06拥有良好的热稳定性和过载承受能力。其最大工作结温可达150℃，可在恶劣环境温度下持续运行。器件经过严格的高温高压测试，确保在长期使用过程中不发生性能退化。同时，该MOSFET具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感突变情况下维持结构完整性，避免因电压击穿导致的永久损坏，增强了整个电源系统的鲁棒性。
　　从应用角度来看，UTT15P06支持多种常见封装形式，包括TO-220和DPAK，这些封装均具备良好的热传导性能，便于通过散热片或PCB铜箔进行有效散热。这使得该器件不仅适用于通用电源模块，还可用于电池管理系统、DC-DC变换器、逆变器以及电机控制器等多种场景。此外，其-2V至-4V的栅极阈值电压范围允许其被微控制器或其他逻辑电路直接驱动，无需额外的电平转换或专用驱动芯片，从而简化了外围电路设计，降低了整体系统成本。

UTT15P06广泛应用于各类中等功率电源管理系统中，尤其适合作为高边或低边开关元件使用。在同步整流型DC-DC降压转换器中，它可以作为主开关或续流开关，利用其低导通电阻特性来提高转换效率，特别适用于便携式设备、嵌入式系统和工业电源模块等对能效敏感的应用场景。由于其支持较高的开关频率且具备较低的开关损耗，因此在高频开关电源设计中表现出色。
　　在电池供电设备中，例如电动工具、移动储能装置和UPS不间断电源系统中，UTT15P06常被用作电池保护电路中的充放电控制开关。其P沟道结构使得在高端驱动配置中无需复杂的电荷泵电路即可实现有效控制，降低了系统复杂度和成本。同时，其快速响应能力和稳定的电气参数有助于实现精确的电流切断与过流保护功能。
　　该器件也适用于电机驱动电路，尤其是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，UTT15P06可作为桥臂上的开关元件，配合其他N沟道或P沟道MOSFET完成正反转控制。其内置体二极管能够在电机换向时提供可靠的续流通路，防止感应电动势造成的电压冲击，提升驱动系统的安全性与可靠性。
　　此外，UTT15P06还可用于各种负载开关和热插拔控制电路中，用于实现电源路径的通断控制。例如，在多路供电系统中，通过多个UTT15P06分别控制不同子系统的供电状态，可以实现按需供电、节能待机等功能。其良好的温度特性和长期稳定性保证了在频繁开关操作下的持久性能，满足工业级应用需求。

UTT15P06L