型号：UTT15N08G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：15A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：≤7.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：≤9.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约2200pF @ VDS=40V
　　输出电容（Coss）：约600pF @ VDS=40V
　　反向恢复时间（trr）：典型值75ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UTT15N08G采用先进的沟槽栅极工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性意味着在大电流条件下功耗更低，减少了发热问题，从而提升系统效率并降低对散热设计的要求。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值在30nC左右，这使得驱动电路更简单且能耗更低，特别适合用于PWM调制控制的开关电源和同步整流电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的质量测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）以及温度循环测试，确保在恶劣工作环境下的稳定性。其封装设计有利于热量的有效传导，TO-220封装可配合散热片使用，进一步增强散热效果，适用于持续高负载运行的应用场合。
　　UTT15N08G还具备较强的抗瞬态过压能力，内置体二极管具有较快的反向恢复速度，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。由于其引脚兼容主流N沟道MOSFET，便于在现有设计中进行替换和升级，无需重新布局PCB。
　　总体而言，UTT15N08G在性能、成本和可靠性之间实现了良好平衡，尤其适合追求高性价比和国产替代方案的设计工程师选用。其广泛的工作温度范围也使其可用于工业级和部分汽车级应用场景。

UTT15N08G广泛应用于各类中等功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC变换器（Buck、Boost、Flyback拓扑结构），其中作为主开关管或同步整流管使用，能够有效提升转换效率并减小体积。在电机控制系统中，该器件可用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，适用于电动工具、家用电器和小型自动化设备。
　　此外，UTT15N08G也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为保护开关实现过流、短路保护功能。在LED照明驱动电源中，其快速开关特性和低导通损耗有助于实现高效恒流输出。由于其具备较高的电流承载能力和较好的热性能，也可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能充电控制器等新能源相关设备。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器驱动、电磁阀控制和电源分配模块，提供可靠的开关动作。其TO-252贴片封装版本适用于需要自动贴装和回流焊的现代化生产线，而TO-220直插封装则更适合维修更换和中小批量生产。综合来看，UTT15N08G是一款通用性强、适应面广的功率开关器件，适用于从消费类电子产品到工业设备的多种应用场景。

AP15N08GP-HF
　　APT15N08GL
　　STP15NF80
　　FQP15N08
　　IRF15N08