型号：UTT100N08M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：400A
　　最大功耗（Pd）：230W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（Vgs=10V, Id=50A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约7000pF（Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约2000pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值为35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220/TO-263/DPAK（依具体版本而定）

UTT100N08M采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可实现不超过4.5mΩ的优异表现，显著降低了大电流工作时的传导损耗，提高了系统整体效率。这一特性使其特别适用于高电流负载的应用场合，如大功率开关电源、逆变器和电机驱动电路。器件的高电流承载能力（高达100A连续漏极电流）结合出色的热性能设计，确保了即使在持续高负载运行下也能保持稳定可靠的工作状态。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），能够实现高频开关操作而不会产生过多的开关损耗。这对于现代高效DC-DC变换器、同步整流拓扑以及PWM控制电路尤为重要。同时，其反向恢复时间较短，体二极管性能良好，在桥式电路中能有效减少换向过程中的能量损耗和电压尖峰问题。
　　UTT100N08M还具备优秀的热稳定性和抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。器件的栅极氧化层经过特殊处理，具备较强的抗静电（ESD）能力和长期可靠性，适合在工业环境等复杂电磁干扰条件下使用。此外，产品符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，兼容自动化生产流程，有利于提升制造良率和产品一致性。

UTT100N08M广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于主开关管或同步整流管，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升了转换效率并减少了散热需求。
　　在电机驱动应用中，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路，提供高效的电流控制和快速响应能力，适用于电动工具、家用电器、工业自动化设备等场景。此外，在电动车控制系统（如电动滑板车、平衡车、小型电动车）中，UTT100N08M作为功率开关元件参与电机调速与能量回馈管理，表现出良好的动态性能和可靠性。
　　在DC-DC转换器拓扑（如Buck、Boost、Half-Bridge）中，该MOSFET可作为主功率开关使用，尤其适合输入电压在48V左右的中压系统。其80V的耐压等级为系统提供了足够的安全裕量，避免因电压波动导致器件击穿。同时，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统等新能源相关设备中，承担关键的能量转换任务。
　　由于其TO-220或DPAK等标准封装形式易于安装散热片或进行SMT贴装，因此在消费类电子、工业控制板、电源适配器等领域也得到了广泛应用。

IRF1010E
　　FQP10N80
　　STP100N8F7
　　IPB090N08S3L