型号：UTT100N08
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID@25℃）：100A
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　导通电阻（RDS(on)@VGS=10V）：7.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)@VGS=4.5V）：10.5mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.5V
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　输入电容（Ciss）：4000pF
　　输出电容（Coss）：950pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

UTT100N08采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为7.5mΩ，在大电流应用中可有效降低温升，延长器件寿命。该低阻特性特别适用于高电流密度设计，如服务器电源、电动工具和大功率LED驱动等场景。同时，由于采用了优化的硅片设计，器件在高温下仍能保持稳定的电气性能，确保在满载或持续工作条件下不会因热失控而失效。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，拥有较低的栅极电荷（Qg=95nC）和输入电容（Ciss=4000pF），这意味着它可以在高频开关应用中减少驱动电路的能量消耗，并加快开关响应速度，有助于实现更高的开关频率和更紧凑的磁性元件设计。这对于现代高效能电源拓扑如同步整流、半桥/全桥变换器尤为重要。此外，其较短的反向恢复时间（trr=45ns）也降低了体二极管在换流过程中的反向恢复电荷，减小了开关尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　UTT100N08还具备优异的热性能和可靠性。TO-252封装不仅提供良好的机械强度，而且具有较低的热阻（RθJC≈0.5℃/W），有利于热量从芯片传导至散热器或PCB铜箔，从而实现高效的热管理。器件的工作结温可达+175℃，满足严苛工业环境下的长期运行需求。内置的快速体二极管可用于续流路径，避免外接二极管带来的额外成本与空间占用。此外，该器件通过了AEC-Q101认证测试流程（若用于车规级版本），具备良好的抗浪涌、抗静电（ESD）和抗雪崩击穿能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。

UTT100N08广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适用于需要大电流、低损耗和高效率的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是PFC电路和主开关管；DC-DC降压/升压转换器，用于通信电源、工业控制电源模块；电机驱动电路，如直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具和家用电器中的功率开关；逆变器系统，包括太阳能微逆变器和UPS不间断电源；此外还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类高亮度LED照明驱动电源。
　　在电动汽车和新能源领域，UTT100N08可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块和充电桩内部的功率切换单元，其高可靠性和耐热性满足汽车级应用的部分要求。同时，在工业自动化设备中，作为固态继电器或电子负载的核心开关元件，能够实现快速响应和长寿命操作。消费类电子产品中，如大功率适配器、游戏主机电源、服务器电源模块等，也常采用此类低RDS(on) MOSFET以提高能效等级并符合能源标准（如80 PLUS认证）。
　　得益于其TO-252封装的小型化优势，UTT100N08适合自动化贴片生产，兼容回流焊工艺，适用于大批量制造场景。其引脚排列清晰、易于布局布线，且支持并联使用以进一步提升电流承载能力，是现代高密度电源设计的理想选择之一。

IRF1010E, FQP10N80, STP100N8F6, IPB010N08S3L-02