时间：2025/10/7 13:04:18
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UTS1C101MDD1TD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装硅p沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，广泛用于便携式电子设备和电池供电系统中。其主要特点是具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(on)），这使得它在开关电源、负载开关和电机控制等应用中表现出色。该MOSFET采用双通道配置，两个独立的p沟道MOSFET集成在一个封装内，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。器件的额定电压为-20V，适用于低电压直流应用。其封装形式为双侧冷却DFN（Dual Cool DFN），尺寸紧凑，热性能优异，能够有效散热，提升器件在高负载条件下的可靠性。此外，UTS1C101MDD1TD符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适合绿色电子产品制造。该器件在工业控制、消费类电子、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。
型号：UTS1C101MDD1TD
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：双通道p沟道功率MOSFET
漏源电压（VDS）：-20 V
栅源电压（VGS）：±12 V
连续漏极电流（ID）：-5.3 A（单通道）
脉冲漏极电流（IDM）：-14 A
导通电阻（RDS(on)）：42 mΩ（@ VGS = -10 V）
导通电阻（RDS(on)）：50 mΩ（@ VGS = -4.5 V）
栅极电荷（Qg）：9 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：415 pF（@ VDS = 10 V）
阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V 至 -2.0 V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN-8（双侧冷却）
安装类型：表面贴装（SMD）
UTS1C101MDD1TD采用Vishay专有的TrenchFET技术，该技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了器件的导通电阻和栅极电荷，从而提高了开关效率并减少了能量损耗。其双通道p沟道设计允许在单一封装内实现两个独立的开关功能，特别适用于需要双路电源控制或冗余设计的应用场景。每个通道均可独立操作，互不干扰，提升了电路设计的灵活性。器件的低RDS(on)特性使其在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，有助于延长电池寿命并减少散热需求。
该MOSFET的DFN-8双侧冷却封装不仅体积小巧，还具备出色的热传导性能。顶部和底部均可进行散热，使热量能够通过PCB和外部散热器高效散发，从而显著提升器件在高功率密度环境下的可靠性。这种封装结构特别适合对空间和热管理要求严格的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
UTS1C101MDD1TD具有良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下保持稳定工作。其栅极氧化层经过优化设计，具备较高的耐用性和长期可靠性，适用于频繁开关操作的场合。此外，该器件支持快速开关，开关时间短，减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了系统整体效率。由于其低阈值电压和稳定的电气特性，该MOSFET易于与常见的逻辑电平驱动信号兼容，简化了驱动电路设计。
UTS1C101MDD1TD广泛应用于多种需要高效电源管理和紧凑布局的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如移动电话、笔记本电脑和平板电脑，该器件常被用作电池电源开关或负载开关，用于控制不同功能模块的供电，实现节能和电源隔离。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电控制开关，确保电池安全运行。在DC-DC转换器和同步整流电路中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，降低温升。
在工业控制系统中，UTS1C101MDD1TD可用于继电器替代、电机驱动和电源分配单元，提供可靠的开关控制。其双通道结构也适用于H桥驱动电路中的高端开关部分，尤其是在低电压直流电机控制中表现优异。在通信设备中，该器件可用于热插拔电源控制和背板电源管理，确保系统在不断电情况下安全接入或断开模块。
此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、USB电源开关、智能电表和汽车信息娱乐系统的电源管理模块。由于其符合AEC-Q101可靠性标准，部分衍生型号也可用于汽车电子应用。其小型化封装和高性能特性使其成为现代高密度PCB设计的理想选择，尤其适合追求轻薄化和高性能的终端产品。
SI7458DP-T1-GE3
DMG2305UX-7
NTR4101PT1G
