时间：2025/12/27 7:46:50
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UTR4502G-AE2-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，具有出色的热性能和电气特性，特别适用于高效率、高频率和高温工作环境下的功率转换应用。UTR4502G-AE2-R属于UnitedSiC的UDx系列，该系列专为满足现代电源系统对更高效率和更小尺寸的需求而设计。这款二极管没有反向恢复电荷（Qrr），因此在开关过程中不会产生反向恢复电流，显著降低了开关损耗，提升了系统的整体能效。此外，其低正向导通压降（Vf）有助于减少导通损耗，进一步提升效率。
该器件采用TO-252-3（D-Pak）封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及各类AC-DC和DC-DC转换器中。UTR4502G-AE2-R的额定电压为450V，平均正向整流电流为2A，能够承受较高的峰值电流和瞬态过载，确保在严苛工况下的长期可靠性。
类型：SiC肖特基二极管
反向重复电压（VRRM）：450V
平均正向整流电流（IF(AV)）：2A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
正向电压（VF）：1.45V（典型值，@ IF = 2A, TJ = 25°C）
反向漏电流（IR）：100μA（最大值，@ VR = 450V, TJ = 25°C）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252-3（D-Pak）
安装类型：表面贴装型
反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复）
热阻（RθJC）：约 30°C/W
UTR4502G-AE2-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其在高频开关电源应用中表现卓越。与传统的硅基PN结二极管相比，SiC肖特基二极管不存在少子存储效应，因此在关断时不会产生反向恢复电荷（Qrr），从而彻底消除了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。这一特性对于工作在数十kHz至MHz级别的开关电源尤为重要，可显著提高转换效率并简化EMI滤波电路的设计。
此外，该器件具有极低的反向漏电流，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，尽管SiC器件的漏电流随温度上升略有增加，但相较于其他宽禁带半导体器件仍处于可控范围内。其高达175°C的结温允许在高温环境中可靠运行，减少了对复杂散热系统的需求，有助于缩小整体电源系统的体积。
UTR4502G-AE2-R的TO-252-3封装不仅支持自动化贴片生产，还提供了优良的热传导路径，便于通过PCB铜箔或散热器进行有效散热。该封装结构在机械强度和焊接可靠性方面也经过优化，适用于工业级和汽车级应用场景。由于其无掺杂p-n结的肖特基结构，该器件不具备雪崩能力，因此在使用时需确保电路中不会出现超过其额定电压的瞬态过压，建议配合TVS或RC缓冲电路进行保护。
总体而言，UTR4502G-AE2-R凭借其零反向恢复、低正向压降、高结温和优异的热导率，成为现代高效电源系统中理想的续流或升压二极管选择。
UTR4502G-AE2-R广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在AC-DC开关电源中，常用于PFC（功率因数校正）升压级的输出整流或作为续流二极管，利用其零反向恢复特性降低开关管的应力和损耗，提升整体能效至96%以上。在DC-DC变换器中，特别是在LLC谐振转换器或同步整流拓扑中，该器件可用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管，显著减少开关噪声和热积累。
在太阳能光伏逆变器中，UTR4502G-AE2-R可用于组串式或微型逆变器的直流输入端，处理面板产生的直流电并实现高效转换，其高温耐受能力适应户外严酷环境。在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，该器件有助于实现高功率密度和高可靠性设计，满足新能源汽车对小型化和长寿命的要求。
此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器以及工业电机驱动中的辅助电源和保护电路。由于其快速响应特性和稳定的工作性能，UTR4502G-AE2-R在需要频繁启停或负载突变的动态工况下仍能保持稳定运行，是现代绿色能源和高效电源系统中的关键元件之一。
UTR4502G-E3-F
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