型号：UTP45N02G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：45A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：180A
　　导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V（@ID=1mA）
　　输入电容(Ciss)：2400pF（@VDS=10V）
　　输出电容(Coss)：720pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容(Crss)：240pF（@VDS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：27nC（@VGS=10V）
　　上升时间(tr)：20ns
　　下降时间(tf)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8

UTP45N02G-TN3-R采用了先进的沟槽式场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统的能效。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为6.5mΩ，在VGS=4.5V时为8.5mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低阈值和低导通电阻的组合使其在电池供电设备中尤为适用，能够有效延长电池使用寿命。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性与散热性能，得益于SOP-8封装内置的散热焊盘设计，能够通过PCB有效导出热量，提升功率处理能力。同时，其高达45A的连续漏极电流能力使其可承载较大的负载电流，适用于大电流开关应用如电机控制或电源同步整流。
　　器件的输入、输出和反向传输电容经过优化，在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和较快的响应速度。其栅极电荷Qg仅为27nC，有助于减少驱动电路的功耗，提高开关频率，适用于DC-DC变换器、同步整流器等高频电源拓扑结构。
　　UTP45N02G-TN3-R还具备较强的抗雪崩能力和可靠性，内部结构设计有效抑制了寄生双极晶体管的导通，避免二次击穿现象。此外，其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境条件下稳定工作，增强了产品在工业级应用中的适应性。
　　该器件符合RoHS指令要求，采用无卤素材料制造，支持环保生产流程。批量生产一致性高，适合自动化贴片生产线使用，广泛用于各类高密度、小型化电子设备中。

UTP45N02G-TN3-R广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括同步降压变换器中的下管或上管开关元件，尤其适用于低电压、大电流输出的DC-DC转换模块。其低RDS(on)和快速开关特性有助于提升电源效率并减小散热需求，是笔记本电脑、平板电脑和路由器等设备中电源管理单元的理想选择。
　　在电池供电系统中，该MOSFET可用于电池保护电路中的充放电控制开关，实现高效的充放电路径管理，防止过流、短路和反向连接等问题。此外，它也常被用于负载开关电路，控制外设电源的通断，以降低待机功耗，提升系统能效。
　　在电机驱动领域，UTP45N02G-TN3-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，提供快速响应和低功耗切换。其高脉冲电流能力（可达180A）使其能够承受电机启动瞬间的大电流冲击。
　　该器件还适用于LED驱动电路、热插拔控制器、电源分配开关以及各种消费类电子产品中的功率开关应用。凭借SOP-8的小型封装，它非常适合空间受限的设计，如移动电源、智能家电控制板、USB电源管理模块等。其高可靠性和成本效益也使其成为替代更昂贵MOSFET型号的优选方案之一。

SiSS10DN,TSM45N02G,DMG45N02LSD