型号：UTP45N02
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　连续漏极电流(ID)：45A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：180A
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=22.5A
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=22.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：2300pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：630pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252(DPAK)

UTP45N02具备出色的导通性能，其低导通电阻RDS(on)显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提高了系统的能源利用效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为6.5mΩ，而在典型的逻辑电平驱动电压4.5V下也能维持8.5mΩ的低阻值，这使得它不仅适用于标准10V驱动电路，也兼容现代低压控制环境，如由微控制器直接驱动的应用场景。这种宽泛的栅压适应能力增强了其在多种电源拓扑结构中的通用性。
　　该器件采用了优化的晶圆设计和封装技术，确保了良好的热传导性能和长期可靠性。TO-252封装具备较大的焊盘面积，有助于将芯片产生的热量快速传递至PCB，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。同时，UTP45N02具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有利于减小驱动电路的复杂度和功耗，特别适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑以及高频率DC-DC变换器中。
　　UTP45N02还内置了一定程度的保护机制，例如具备反向二极管（体二极管），可用于感性负载释放能量，防止电压反冲损坏其他元件。其体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），可在高频开关条件下减少反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险。此外，该MOSFET具有较高的雪崩耐量，能够在突发过压或短路事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了整个电子系统的安全性和抗扰能力。
　　由于其高电流承载能力（高达45A连续电流），UTP45N02常被用于大功率LED驱动、电动工具电池管理系统、便携式设备电源开关以及工业控制中的继电器替代方案。其稳定的电气参数和良好的批次一致性也使其成为批量生产产品中的理想选择。

UTP45N02广泛应用于各类需要高效、快速开关控制的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC升压/降压转换器、电池供电设备的电源管理单元、电机驱动电路以及热插拔控制器。由于其支持大电流切换且导通损耗低，特别适用于笔记本电脑适配器、移动电源、USB PD充电器、无人机动力系统和小型电动交通工具的控制系统。
　　在消费类电子产品中，UTP45N02可用于背光驱动、LCD/OLED显示屏电源开关以及音频放大器的电源切换模块。在工业领域，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制、电磁阀驱动和继电器替代设计，实现无触点、长寿命的电子开关功能。此外，因其具备良好的瞬态响应能力和抗冲击性能，也可用于太阳能充电控制器、LED照明调光系统和智能家电中的负载控制环节。
　　得益于其表面贴装封装（TO-252），UTP45N02非常适合自动化SMT生产线，能够满足现代电子产品对小型化、高密度组装的需求。在汽车电子辅助系统中，如车载照明、车窗升降电机控制或电池监控电路中也有潜在应用价值，但需注意工作温度范围是否满足严苛环境要求。总之，UTP45N02是一款性能均衡、适用面广的中低压N沟道MOSFET，适用于多种中高功率开关应用场合。

AP45N02GP-HF
　　SI4405DY-T1-E3
　　IRLU45N