型号：UTM6016G-S08-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：GaN-on-Si（硅基氮化镓）
　　击穿电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：16 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻（RDS(on)）：80 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6.5 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF
　　输出电容（Coss）：280 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN 8x8 mm 或类似小型表面贴装封装
　　开关频率典型值：可达 1 MHz 以上

UTM6016G-S08-R的核心特性之一是其基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）的半导体工艺，这一技术结合了氮化镓材料的高速与高耐压优势，以及硅衬底的成本效益和制造兼容性。该器件实现了高达650V的击穿电压，使其适用于主流的工业级高压直流应用，如PFC级和DC-DC变换器。其低至80mΩ的导通电阻显著减少了导通损耗，尤其在大电流条件下能够有效提升整体转换效率。相比传统超结MOSFET，UTM6016G-S08-R在相同封装下可提供更优的性能表现，并支持更高功率密度的设计。
　　另一个关键特性是其增强型（常关型）工作模式。许多早期的氮化镓器件为耗尽型（常开型），需要负压关断或复杂的驱动逻辑，而UTM6016G-S08-R通过集成Junction-FET结构实现增强型行为，使栅极驱动更加简单，仅需0V关断、5V左右开启，与标准硅MOSFET驱动IC完全兼容，极大降低了系统设计门槛。这种设计不仅提高了安全性，也提升了在多管并联或桥式拓扑中的稳定性。
　　该器件具有极低的寄生参数，包括输入/输出电容和反向恢复电荷。由于氮化镓HEMT没有体二极管，因此不存在传统MOSFET的反向恢复问题，从而大幅减少开关过程中的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑如图腾柱PFC中表现突出。同时，其快速的开关速度允许工作在数百kHz甚至1MHz以上的频率，有助于缩小磁性元件体积，进一步推动小型化电源系统的发展。
　　热性能方面，UTM6016G-S08-R采用高效散热封装设计，例如底部带暴露焊盘的DFN封装，可通过PCB良好导热，确保在高负载下仍保持较低的结温。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境条件下稳定运行，适合工业、通信及汽车级应用场景。此外，该器件具备良好的抗噪声能力和dv/dt耐受性，配合适当的PCB布局和驱动设计，可实现高可靠性系统集成。

UTM6016G-S08-R广泛应用于各类高效率、高频开关电源系统中。典型用途包括数据中心服务器电源单元（PSU）中的图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路，该拓扑利用其零反向恢复特性，显著提升轻载和满载效率，满足80 PLUS钛金等级要求。在通信电源领域，该器件用于AC-DC整流模块和DC-DC中间总线转换器，帮助实现紧凑型、高功率密度的供电架构。
　　在可再生能源系统中，UTM6016G-S08-R可用于光伏微型逆变器或组串式逆变器的DC-AC逆变级，凭借其高频能力降低滤波元件体积，提升系统整体效率。此外，在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和直流快充桩的内部DC-DC转换模块，该器件能够支持双向能量流动和高效率ZVS软开关拓扑，适应宽范围电池电压输入。
　　其他应用还包括高端消费类适配器（如笔记本电脑GaN充电器）、工业电机驱动中的半桥配置、无线充电发射端功率级以及高密度LED驱动电源。由于其优异的动态性能和热管理能力，UTM6016G-S08-R特别适合追求小型化、高效化和低碳排放的现代电力电子系统。

LMG3410R050
　　GSM6508S-E08-R
　　EPC2045
　　GS-065-016-1-L