时间：2025/10/7 5:39:07
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UTM1H221MHD是一款由Uniroyal Electronics（台湾宇邦电子）生产的表面贴装型多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高电压、高电容值的贴片电容系列，广泛应用于各类工业、消费类及通信电子设备中。型号中的编码遵循行业通用命名规则：'UTM'代表产品系列，'1H'表示额定电压为50V（额定电压代码H对应50V），'221'表示电容值为220pF（即22 × 10^1 pF），'M'表示电容容差为±20%，'HD'可能代表特定的介质类型、尺寸封装或高温特性。该电容器采用X7R或类似温度特性介质材料制造，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，确保在复杂环境下的可靠性。
作为一款SMD贴片电容，UTM1H221MHD适用于自动化贴片生产线，具有体积小、重量轻、高频响应好、等效串联电阻（ESR）低等优点。其结构采用多层叠膜工艺，内部由交替的金属电极和陶瓷介质构成，从而实现较高的单位体积电容量。该器件符合RoHS环保标准，无铅兼容，适用于现代绿色电子产品设计。由于其良好的电气性能和稳定性，常被用于电源去耦、信号滤波、旁路、耦合以及DC-DC转换器等电路场合。
电容值：220pF
容差：±20%
额定电压：50V
温度特性：X7R（或类似）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：未明确标注，但根据系列推测可能为0805或1210
介质材料：陶瓷（Class II）
安装类型：表面贴装（SMD）
产品系列：UTM
制造商：Uniroyal Electronics
UTM1H221MHD采用Class II陶瓷介质材料（如X7R），具备较高的介电常数，因此能在较小的物理尺寸下实现相对较大的电容值。X7R材料的温度稳定性良好，在-55°C到+125°C范围内，电容值变化不超过±15%，适合大多数工业级应用。相较于C0G/NP0类电容，虽然其温度稳定性和电压系数略逊一筹，但在成本与容量之间实现了良好平衡，特别适用于非精密但需要一定温度适应性的场景。
该电容器设计为表面贴装器件（SMD），便于在自动化SMT生产线上进行高速贴片与回流焊接，提升了生产效率并降低了组装成本。其结构紧凑，适合高密度PCB布局，有助于缩小整机体积。同时，由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），在高频去耦和噪声滤波应用中表现出色，能有效抑制电源线上的高频干扰，提升系统电磁兼容性（EMC）性能。
UTM1H221MHD具备良好的耐湿性和机械强度，经过严格的老化测试和可靠性验证，确保在长期运行中保持稳定的电气性能。其绝缘电阻高，漏电流小，适用于对可靠性要求较高的电源管理模块和模拟前端电路。此外，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子、工业控制等严苛环境下的应用。
该电容支持无铅焊接工艺，符合RoHS和REACH环保指令要求，适应全球市场对绿色电子产品的法规需求。其包装形式通常为卷带编带，适用于自动送料贴片机，提高了批量生产的可操作性。整体而言，UTM1H221MHD是一款性价比高、通用性强的工业级MLCC，适用于多种中高压、中等精度的滤波与去耦场合。
UTM1H221MHD多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要中等电容值和中等电压等级的电子电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并减少纹波噪声。在DC-DC转换器模块中，它常被用作输入旁路电容，以吸收瞬态电流尖峰，稳定供电电压，防止因电源阻抗过高引起的芯片误动作。
在模拟信号处理电路中，该电容可用于耦合与去耦，隔离直流分量的同时传递交流信号，常见于音频放大器、传感器信号调理电路等场合。其良好的频率响应特性使其适合用于中频滤波网络，配合电阻或电感构成RC/LC滤波器，用于抑制特定频段的干扰信号。
在数字系统中，UTM1H221MHD可用于微处理器、FPGA、ASIC等高速数字芯片的电源引脚附近，作为局部储能元件和高频噪声旁路路径，降低电源阻抗，提升系统稳定性。尤其在多层PCB设计中，这类电容常布置在电源层与地层之间，形成有效的去耦网络。
此外，该器件也适用于工业控制设备、通信模块（如射频前端偏置电路）、消费类电子产品（如电视、机顶盒、电源适配器）以及汽车电子中的辅助电源系统。由于其工作温度范围宽，也可用于户外设备或高温环境中运行的仪器仪表。
GRM31CR71H221KA12L
C2012X7R1H221K
CL21A221MPQNNNE
ECJ-FA3Y1H221Z
