类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：1.6A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.0Ω @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：约380pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：约110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值100ns
　　功耗（PD）：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

UTH16T03具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势之一是高达650V的最大漏源电压，使其能够安全可靠地工作在高压环境中，例如离线式开关电源或PFC电路中。这一耐压能力确保了器件在瞬态过压情况下仍能保持正常运行，提高了系统的鲁棒性。同时，该MOSFET的导通电阻在VGS=10V时不超过7.0Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，进而减少发热并提高能源转换效率。
　　器件的栅极阈值电压范围为3V至5V，意味着它可以兼容多种逻辑电平驱动信号，包括由PWM控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。这种特性简化了驱动设计，降低了系统复杂度和成本。此外，UTH16T03具有较低的输入和输出电容，分别约为380pF和110pF，这显著减少了开关过程中的充放电能量损失，提升了高频开关操作下的动态响应性能。
　　在开关特性方面，UTH16T03表现出较快的开关速度，反向恢复时间典型值为100ns，有效抑制了体二极管反向恢复引起的电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）问题，并增强了与其他功率器件协同工作的稳定性。该器件还具备良好的热阻特性，通过TO-220封装可实现有效的热量传导至散热器，保障长时间满载运行下的可靠性。
　　UTH16T03内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受能力，能够在突发负载变化或线路扰动时维持稳定工作。其宽广的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）也使其适用于恶劣环境条件下的工业设备。整体而言，UTH16T03是一款兼顾高压、高效与高可靠性的功率MOSFET，适用于多类中等功率开关电源及电力控制应用。

UTH16T03广泛应用于各类需要高压、高效率开关控制的电力电子设备中。常见应用包括AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视电源模块等，作为主开关管或辅助开关元件使用。在这些电源拓扑中，UTH16T03能够承受整流后的高压直流母线电压，并在PWM控制器的驱动下实现高效的能量传递。
　　此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源，尤其是在隔离式反激（Flyback）拓扑结构中担任开关角色，帮助实现稳定的输出电流和高功率因数。由于其具备较低的导通电阻和良好的热性能，UTH16T03可在长时间点亮条件下保持较低温升，延长灯具使用寿命。
　　在工业控制领域，UTH16T03可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块或电磁阀控制单元中，执行快速通断操作。其高耐压特性使得它能在工业电网波动较大的环境下稳定工作，避免因电压冲击导致的器件损坏。
　　该MOSFET还可用于DC-DC转换器中的升压或降压拓扑，特别是在高压输入场景下提供可靠的开关功能。同时，由于其封装形式为TO-220，易于安装散热片，因此在需要手动焊接或维护的设备中具有较高的实用性。总之，UTH16T03凭借其综合性能，已成为中小功率电源系统中常用的功率开关解决方案之一。

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　　 "UTD16T03",
　　 "FQP16N65",
　　 "STP16NF65FD",
　　 "KIA16N65",
　　 "AP16N65FP"
　　]