型号：UTG20PG
　　制造商：UTC（优特半导体）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：14A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：56A
　　功耗（PD）：50W（Tc=25℃）
　　导通电阻RDS(on)：7.5mΩ @ VGS=10V；9.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：28nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：1350pF @ VDS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UTG20PG采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高能量转换效率。其典型RDS(on)仅为7.5mΩ（在VGS=10V条件下），即使在低栅压4.5V时也能保持9.5mΩ的低阻值，确保了在电池供电或低压驱动环境下依然具备优良的导通性能。这种低RDS(on)特性对于DC-DC降压变换器、同步整流电路以及负载开关等应用场景尤为重要，有助于减少发热并提升系统可靠性。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=28nC）和输入电容（Ciss=1350pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率较小，有利于简化驱动电路设计，并支持更高的开关频率运行，从而减小外围滤波元件的体积，实现更紧凑的电源设计。此外，UTG20PG具备快速的上升和下降时间响应，开关延迟时间短，进一步增强了其在高频PWM控制中的适用性。
　　UTG20PG采用TO-252封装，具有较大的焊盘面积以利于PCB散热，能够在较高环境温度下稳定工作。其最大结温可达+150℃，并具备良好的热循环耐受能力，适用于工业级严苛工作环境。器件还内置了体二极管，可用于反向电流续流，在H桥或电机驱动电路中发挥重要作用。该体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰。
　　从可靠性角度看，UTG20PG通过了严格的品质认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高压烘烤（H3TRB）以及机械冲击与振动测试，确保长期使用的稳定性。同时，其栅氧化层设计可承受±12V的栅源电压，具备一定的过压耐受能力，提升了实际应用中的鲁棒性。总体而言，UTG20PG是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，特别适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子系统。

UTG20PG常用于各类中低电压直流电源系统中，典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器（Buck Converter），其中作为下管或上管使用，利用其低导通电阻来提升转换效率，减少能量损耗。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电源管理单元中，该器件可用于电池放电路径的主开关或负载开关，实现高效的能量传输与分配。此外，在LED驱动电源中，UTG20PG可用于恒流调节回路中的开关元件，配合控制器实现精准调光与节能控制。
　　在电机控制领域，UTG20PG适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，作为桥臂开关管之一，凭借其快速开关能力和良好热性能，可有效控制电机正反转及调速功能，常见于智能家居设备、电动工具和机器人控制系统中。同时，该器件也适用于热插拔电路设计，作为电源通断控制开关，防止浪涌电流对系统造成损害。
　　在通信设备和工业控制板卡中，UTG20PG被广泛用于隔离式电源模块、背板供电切换以及冗余电源管理等场合。其TO-252封装支持自动贴片工艺，适合大规模量产，提高了生产效率。另外，在太阳能充电控制器、USB PD快充适配器、移动电源（Power Bank）等消费类电源产品中，UTG20PG也因其高性价比和稳定性能而受到青睐。总之，凡是需要高效、高频、大电流开关控制的低压应用场景，UTG20PG均能提供可靠的解决方案。

SiSS108DN-T1-E3
　　AO4403
　　IRLML6344TRPBF
　　FDS6680A