时间：2025/12/25 8:06:42
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UTG14AC 是一款由UTE (优源半导体) 生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路和功率控制等应用。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合用于中高功率的开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动电路等场景。UTG14AC的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而在高频工作条件下也能保持较高的效率和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
漏极电流（ID）：连续14A（@25℃）
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.035Ω（@VGS=10V）
功率耗散（PD）：125W（@TC=25℃）
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：TO-220
UTG14AC 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备出色的导通和开关性能。其导通电阻RDS(on)非常低，通常仅为0.035Ω，这使得在导通状态下功率损耗极低，提高了系统的整体效率。此外，UTG14AC 支持高达14A的连续漏极电流，适用于中高功率的应用场景。其漏源电压额定值为150V，具备较高的电压耐受能力，可以在较高电压条件下稳定工作。
UTG14AC 的设计还优化了开关特性，具有较快的开关速度，从而减少了开关过程中的能量损耗。这种特性使其在高频开关电源和DC-DC转换器中表现出色，能够有效降低整体系统的热量产生。同时，该器件具有良好的热稳定性，工作温度范围可达-55℃至+175℃，适应各种严苛的环境条件。
UTG14AC 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。该封装形式在工业应用中广泛采用，具备较高的机械强度和良好的电气绝缘性能。由于其良好的性能参数和可靠性，UTG14AC 是许多电源管理应用中的理想选择。
UTG14AC 常用于多种电源管理和功率控制电路中。在开关电源（SMPS）中，UTG14AC 可作为主开关器件，用于提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该器件可实现高效的电压变换，广泛应用于电动汽车、工业控制设备和通信设备中。
此外，UTG14AC 也可用于负载开关电路，控制大功率负载的通断，例如电机驱动、加热元件和LED照明系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合这些高功率应用场景。
UTG14AC 还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为关键的功率开关元件，确保系统的高效运行和可靠性。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，UTG14AC 也适用于户外设备和工业自动化系统中，能够在严苛的环境条件下稳定工作。
SiHF14N150D, FDPF14N150
