时间：2025/12/27 7:55:51
阅读：15
UTD454G-TN3-R是一款由UTC（友顺科技）推出的高效率、高耐压的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高频率功率转换应用而设计。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热稳定性，能够在高温和高电压环境下稳定工作。UTD454G-TN3-R封装形式为TO-252（DPAK），属于表面贴装型封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能，适用于中等功率级别的电源系统设计。其额定电压高达500V，能够满足大多数离线式电源的设计需求，同时具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提升系统整体能效。此外，该器件符合RoHS环保要求，并通过了相关可靠性测试，适合工业控制、消费电子、照明电源等多种应用场景。
型号：UTD454G-TN3-R
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
漏极电流（ID）：4.5A（连续）
脉冲漏极电流（IDM）：18A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：≤1.5Ω @ VGS=5V
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷（Qg）：典型值38nC
输入电容（Ciss）：典型值680pF
输出电容（Coss）：典型值110pF
反向恢复时间（trr）：典型值45ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
UTD454G-TN3-R采用高性能的超级结结构与高压CMOS工艺相结合，实现了在500V耐压等级下的低导通电阻与优异的开关特性，从而显著提升了功率转换效率。其低RDS(on)特性有效降低了导通状态下的功率损耗，减少了发热，提高了系统的可靠性与长期运行稳定性。器件具备良好的热阻特性，TO-252封装可通过PCB焊盘实现高效散热，适合在紧凑型电源设计中使用。该MOSFET具有较低的栅极驱动需求，可在5V至10V的栅极电压下充分导通，兼容多种PWM控制器的输出电平，尤其适合用于反激式、正激式及LLC谐振变换器等拓扑结构。
此外，UTD454G-TN3-R具有较强的抗雪崩能力与过载承受能力，内部寄生二极管具备较快的反向恢复速度，有助于减少体二极管导通期间的能量损耗，避免因反向恢复引起的电压尖峰问题。器件还具备良好的dV/dt抗扰能力，减少了误触发的风险，增强了系统在高频开关环境下的稳定性。其高度集成化的设计减少了外围元件数量，简化了电路布局，有利于提高产品良率与生产效率。综合来看，该器件在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，是中功率开关电源中的理想选择之一。
广泛应用于各类开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源、TV及显示器电源板、工业控制电源模块等。同时也适用于DC-DC升压/降压转换器、电机控制电路、逆变器以及光伏系统中的功率开关单元。由于其高耐压与良好的热性能，特别适合工作在通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的离线式电源设计中。此外，还可用于各类节能照明系统、家电控制板以及小型UPS电源设备中，作为主开关管或同步整流管使用。得益于其表面贴装封装，也适合自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品对高密度组装与可靠性的双重需求。
UTD454G, UTD454G-TN3, FQP45N50, KSD454G, STP4NK50ZFP
