类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：36A（TC = 100°C）
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：380A（tp = 8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：1.75V（典型值，IF = 18A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：10μA（典型值，VR = 650V, TJ = 25°C）；500μA（最大值，VR = 650V, TJ = 150°C）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：约 1.2 °C/W（典型值）

UTD436L-TN3-T的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其在高频、高温和高效率应用场景中表现出远超传统硅基二极管的性能。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，这意味着在开关关断过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅降低开关损耗和电压振铃现象，提升系统整体效率，尤其在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、LLC谐振转换器和全桥变换器中效果显著。其次，其正向压降（VF）在大电流下仍保持较低水平，且随温度变化较小，具有良好的温度稳定性，有助于减少导通损耗。此外，碳化硅材料的高临界电场强度允许器件在650V额定电压下实现更薄的漂移层，从而提高掺杂浓度，降低导通电阻和热生成。
　　该器件的热性能同样出色，结温最高可达175°C，能够在高温环境下长期可靠运行，减少了对复杂散热系统的需求，有助于缩小电源模块体积，提升功率密度。TO-252封装不仅支持表面贴装，还具备良好的热传导路径，通过PCB铜箔可有效将热量导出，适用于高功率密度设计。UTD436L-TN3-T还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达380A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其低寄生电感和电容设计也有助于减少高频噪声，改善EMI性能。总体而言，UTD436L-TN3-T凭借其材料优势和优化设计，为现代高效能电源系统提供了高可靠性、高效率和小型化的解决方案，特别适合用于替代传统硅基FRD或UFRED器件，以实现系统级性能提升。

UTD436L-TN3-T广泛应用于各类高效率电力电子系统中，尤其是在需要高频率开关和高功率密度的场合。典型应用包括服务器和数据中心的高效率AC-DC电源模块，其中该器件常用于PFC升压二极管，利用其零反向恢复特性显著降低开关损耗，提升整机效率至96%以上。在通信电源和电信整流器中，UTD436L-TN3-T用于输出整流或辅助电源电路，提高系统可靠性和能效等级。太阳能光伏逆变器中，该二极管可用于DC-DC升压级或旁路保护电路，其高温稳定性和低损耗特性有助于提升逆变器在户外高温环境下的长期运行可靠性。
　　在电动汽车相关应用中，UTD436L-TN3-T可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的电源模块，支持高功率密度设计和快速充电需求。工业电源和电机驱动系统也广泛采用该器件，用于高频整流和续流二极管应用，减少系统发热，延长设备寿命。此外，在高密度DC-DC转换器、UPS不间断电源以及高端消费类电源适配器中，UTD436L-TN3-T均能发挥其高性能优势，帮助设计师满足日益严格的能效标准（如80 PLUS Titanium、Energy Star等）。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产线，提升制造效率和一致性。

UD3C4065K8S
　　UW3065TD1
　　SCH650C30A