类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-923
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）@ IF=10mA：450mV
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=30V, 25°C：1μA
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级
　　引脚数：2
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns

UTD436-TN3-T具备优异的电气性能和物理特性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降（VF），通常在450mV左右（在10mA条件下），显著降低了功率损耗，提高了系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于其结构基于金属-半导体结而非PN结，该器件几乎没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）不超过5纳秒，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频信号检波等对响应速度要求高的场合。
　　该二极管的最大重复反向电压为30V，额定平均正向电流为300mA，能够满足大多数低压电源轨的整流与防反接需求。其峰值浪涌电流可达1A，具备一定的瞬态过载承受能力，增强了系统的鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，可在严苛的温度环境中稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等复杂工况。SOD-923封装尺寸小巧（典型尺寸约为1.2mm x 0.8mm x 0.65mm），极大节省了印刷电路板空间，特别适合高密度布局的移动设备如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。
　　UTD436-TN3-T符合国际环保标准，无卤素且符合RoHS指令，支持绿色环保制造流程。其封装材料具有良好的耐湿性和抗腐蚀性，通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性。此外，该器件的低电容特性（典型结电容约30pF）使其在高频信号路径中也能保持良好的信号完整性，可用于ESD保护、信号钳位和逻辑电平转换等模拟前端电路。综合来看，UTD436-TN3-T是一款高性能、高可靠性的微型肖特基二极管，兼顾能效、体积与成本，是现代电子设计中广泛应用的基础元件之一。

UTD436-TN3-T因其小型化封装和优良的电气特性，被广泛应用于多种电子领域。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池充电回路与电源极性反接保护电路。在这些设备中，该二极管利用其低正向压降减少能量损失，提高整体能效。此外，它也常用于DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，特别是在升压（Boost）和降压（Buck）拓扑结构中，发挥快速响应和低损耗的优势。
　　在通信接口电路中，UTD436-TN3-T可用于USB、I2C、UART等信号线的静电放电（ESD）防护和电压钳位，防止瞬态高压损坏后端IC。其快速响应能力和低结电容不会显著影响信号质量，适用于高速数据传输路径。该器件还适用于LED驱动电路中的隔离与防倒灌功能，确保电流单向流动，提升系统安全性。
　　在工业控制和汽车电子领域，UTD436-TN3-T可用于传感器信号调理电路、微控制器外围保护以及低电压电源轨的整流任务。其宽工作温度范围使其能在恶劣环境下稳定运行。此外，在无线模块、IoT节点和RFID标签等超低功耗设备中，该二极管作为能量采集系统的组成部分，用于太阳能或振动能采集后的整流环节，最大限度地保留微弱电能。总之，UTD436-TN3-T凭借其紧凑尺寸、高效性能和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件。

RB751V-30,RB751S-30,PMMS3946T,1SS269,DF0U3L