类型：NPN双晶体管阵列
　　封装：SOT-26
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 400（典型值250）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

UTD436-TN3-R的两个NPN晶体管具有高度一致的电气特性，这使得它们在差分放大器或推挽输出级等需要良好匹配性的电路中表现优异。每个晶体管均具备较高的直流电流增益（hFE），典型值可达250，在轻负载条件下仍能实现高效的信号放大功能。其过渡频率高达200MHz，意味着该器件不仅适用于低频开关操作，还能胜任高频小信号放大任务，例如在射频前端或音频预放大电路中作为增益单元使用。由于采用了先进的晶圆制造工艺，该器件在低温环境下依然能够维持稳定的导通特性，避免因温度变化引起的性能漂移。
　　该器件的SOT-26封装具有极小的占位面积，非常适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热能力，能够在有限的空间内有效传导热量。这种封装还支持自动化贴片生产，提升了大规模制造效率和产品一致性。UTD436-TN3-R的低饱和压降（VCE(sat)）特性有助于减少导通损耗，提高系统整体能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。此外，其输入阻抗适中、驱动需求低，可直接由微控制器I/O口或其他数字逻辑电路驱动，无需额外的缓冲级，简化了外围设计。
　　在可靠性方面，UTD436-TN3-R通过了严格的AEC-Q101车规级认证测试（如适用），具备较强的抗静电能力和耐久性，能够在恶劣电磁环境和振动条件下稳定运行。其内部结构经过优化，减少了寄生电容和电感效应，从而降低了高频噪声干扰的风险。综合来看，这款双晶体管阵列凭借其多功能性、高集成度和出色的性价比，成为众多模拟与数字混合信号系统中的理想选择。

UTD436-TN3-R广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其适用于需要双通道独立控制的场景。常见用途包括LED指示灯或多段数码管的动态扫描驱动电路，其中两个晶体管可分别控制不同组别的发光元件，实现低功耗、高响应速度的显示效果。在微控制器接口扩展方面，该器件可用于构建简单的电平转换或反相缓冲电路，将MCU输出信号增强后驱动继电器、蜂鸣器或其他执行机构。
　　在通信设备中，UTD436-TN3-R可用于小信号放大和脉冲整形，例如在红外遥控接收模块或串行数据收发路径中作为前置放大器。此外，它也常用于电源管理单元中的负载开关或使能控制，利用其快速开关能力实现对子系统的上电时序控制。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机充电仓中，该器件承担着状态检测、按键唤醒、传感器使能等功能的信号切换任务。
　　工业自动化领域中，UTD436-TN3-R可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，或作为光电耦合器的驱动级，提升系统的隔离性能和抗干扰能力。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块（BCM）内的灯光控制、门锁驱动或雨刷电机控制电路。此外，由于其具备一定的高频响应能力，也可用于振荡电路或简单的射频调制解调器设计中。总之，该器件因其灵活性和高可靠性，几乎涵盖了所有涉及低功率晶体管开关与放大的应用场景。

MMBT4401DW-7-F
　　FMMT436TA