型号：UTD413G-AA3-R
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　额定电压（VRRM）：1200V
　　平均正向电流（IF(AV)）：13A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：120A
　　正向压降（VF @ 13A, 25°C）：1.65V
　　反向漏电流（IR @ 1200V, 25°C）：10μA
　　反向漏电流（IR @ 1200V, 150°C）：500μA
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　反向恢复时间（trr）：0ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　极性：单芯片阳极共接

UTD413G-AA3-R的核心优势在于其基于第四代碳化硅材料的肖特基势垒结构，该结构从根本上消除了传统PIN二极管中存在的少子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流（IRR）和反向恢复电荷（Qrr）。这一特性极大地降低了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振变换器和三相逆变器中表现尤为突出。由于没有恢复行为，该二极管在与快速开关器件如SiC MOSFET或GaN HEMT协同工作时，能够有效抑制电压振荡和电磁干扰（EMI），从而减少对缓冲电路和滤波元件的需求，有助于缩小系统体积并降低成本。
　　该器件在高温环境下仍保持优异的电气性能。其反向漏电流虽然随温度上升而增加，但在150°C时仍控制在500μA以内，远低于传统硅超快恢复二极管在同等条件下的表现。此外，碳化硅材料本身具有更高的热导率，结合TO-252封装的优良散热设计，使得器件在持续高负载工况下仍能维持较低的结温，延长使用寿命并提升系统可靠性。UTD413G-AA3-R还具备出色的dv/dt耐受能力，避免了因快速电压变化导致的误导通问题，适用于高动态响应的电力变换场景。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的工业级认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在恶劣工作环境下的长期稳定性。其封装采用环保材料，符合RoHS和REACH规范，并支持自动贴片生产工艺，适合大规模自动化生产。总体而言，UTD413G-AA3-R凭借其零恢复损耗、高耐压、高电流能力和卓越的热性能，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键组件。

UTD413G-AA3-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在光伏（PV）太阳能逆变器中，它常用于直流链路的续流或升压级中的输出整流，利用其零反向恢复特性显著提升转换效率并降低热管理复杂度。在电动汽车（EV）车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件被用于PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器，帮助实现更高功率密度和更小体积的设计。在工业电源领域，如服务器电源、电信整流器和高端UPS系统，UTD413G-AA3-R可用于同步整流替代方案或作为主整流元件，以满足80 PLUS钛金等级等超高能效标准。
　　此外，在电机驱动系统中，该二极管可作为IGBT模块中的续流二极管（FWD），有效减少开关损耗并改善动态性能，尤其适用于高转速、高频PWM调制的场合。在感应加热、激光电源和医疗设备等需要高可靠性和高稳定性的应用中，UTD413G-AA3-R也因其长期稳定性和抗冲击能力而受到青睐。由于其表面贴装封装形式，特别适合于需要自动化生产和紧凑布局的现代电源模块设计，是实现小型化、轻量化和高效化电源系统的理想选择。

UTD413G-E3-F