时间：2025/12/27 7:43:28
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UTD3055G-TN3-R是一款由优特半导体（UTC）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件封装于DFN3x3-8L小型化表面贴装封装中，具有低热阻和优异的散热性能，适合空间受限且对功耗敏感的应用场景。UTD3055G-TN3-R广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等电子系统中。得益于其优化的工艺制程，该MOSFET在导通电阻与栅极电荷之间实现了良好的平衡，有助于提升整体能效并降低温升。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，适用于工业控制、消费类电子及便携式设备等领域。
作为一款面向中低压应用的功率MOSFET，UTD3055G-TN3-R工作于+12V栅极驱动条件下即可实现充分导通，兼容现代逻辑电平控制信号。其内部结构经过优化设计，有效降低了寄生参数的影响，提升了开关速度和抗噪声能力。同时，器件内置的体二极管可用于续流或反向电流保护，在桥式电路或感性负载驱动中发挥重要作用。综合来看，UTD3055G-TN3-R凭借其高性能指标和紧凑封装，成为许多中小型功率变换系统的优选器件之一。
型号：UTD3055G-TN3-R
通道类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：30V
最大连续漏极电流(ID)：18A
最大脉冲漏极电流(IDM)：72A
最大栅源电压(VGS)：±20V
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V；6.0mΩ @ VGS=4.5V
输入电容(Ciss)：960pF @ VDS=15V
输出电荷(Qgd)：11nC @ VDS=15V
工作温度范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：DFN3x3-8L
UTD3055G-TN3-R采用了先进的沟槽栅极技术和超结结构设计，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关电源应用中表现出卓越的能效优势。其低导通电阻RDS(on)在同类产品中处于领先水平，特别是在VGS=4.5V和VGS=10V下分别达到6.0mΩ和4.5mΩ，这意味着即使在低驱动电压条件下也能保持较低的功率损耗，非常适合用于同步整流、负载开关和电池供电设备中的高效能量传输。这种低RDS(on)特性还减少了发热，从而降低了对散热设计的要求，有利于实现更紧凑的PCB布局。
该器件具备优异的热稳定性和长期可靠性，芯片通过了严格的高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）和功率循环测试，确保在恶劣工作环境下仍能维持稳定的电气性能。其DFN3x3-8L封装不仅体积小巧（仅3mm×3mm），而且底部带有裸露焊盘，能够通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层或散热层，大幅改善热阻表现，结到外壳的热阻仅为1.5°C/W左右，从而支持更高的持续电流输出能力。
UTD3055G-TN3-R的栅极电荷Qg和米勒电荷Qgd均经过优化，分别控制在较低水平（典型Qgd为11nC），这有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，进而提高整个系统的转换效率。此外，该MOSFET的输入电容Ciss为960pF，在高频操作时不会给驱动IC带来过重负担，适合搭配控制器IC如PWM芯片或专用驱动器共同使用。器件还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。
UTD3055G-TN3-R广泛应用于多种中低功率电力电子系统中，尤其适用于需要高效率、小尺寸和良好热性能的设计场景。其主要应用领域包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器，作为高端或低端开关管使用，能够在高频下实现高效能量转换，常见于主板供电、GPU核心电源、FPGA辅助电源等板级电源模块中；此外，也常用于异步降压电路中的续流二极管替代方案，利用其低正向导通压降和可调控特性提升整体效率。
在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的通断控制，凭借低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。它也被广泛用作负载开关，用于隔离不同功能模块的供电，例如屏幕背光控制、外设电源管理、USB端口限流保护等，配合软启动功能可有效抑制浪涌电流。
其他应用场景还包括便携式设备的电源切换、电机驱动电路（如微型风扇、震动马达驱动）、LED恒流驱动电路、热插拔控制器以及各类适配器和充电器的次级侧整流环节。由于其封装小型化且支持自动化贴片生产，因此特别适合智能手机、平板电脑、物联网终端、智能家居设备等对空间和功耗高度敏感的产品。
SiSS106DN-T1-GE3
