时间：2025/6/30 18:40:58
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UTD15N15-95-E3是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高频开关应用设计。其采用TO-264封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于电源管理、电机驱动、DC/DC转换器以及各类开关电路等场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：15A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：27nC
总电容（输入+输出）：1800pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
该功率MOSFET具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 提供出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能。
5. 封装形式支持大功率散热需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
UTD15N15-95-E3广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 电池管理系统（BMS）
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用
IRFZ44N
FDP15N15
STP15NF06
