类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：750V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：160A（单个半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值1.55V（在25°C时，IF = 20A）
　　反向漏电流（IR）：最大30μA（在125°C时，VR = 750V）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-2L
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W

UTD02R075的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使其在多个方面优于传统的硅基PIN二极管。首先，该器件具有零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在从导通状态切换到截止状态时，不会产生反向恢复电流尖峰，从而极大减少了开关过程中的能量损耗。这一特性对于高频开关应用至关重要，能够有效降低电磁干扰（EMI），并允许使用更小的滤波元件，提高系统的功率密度。其次，UTD02R075具备较低的正向电压降（VF），在额定电流下仅为1.55V左右，相比同类SiC二极管具有更高的导通效率，有助于减少导通损耗，提升整体能效。
　　此外，该器件能够在高达175°C的结温下稳定工作，表现出优异的热稳定性。这使得UTD02R075在高温环境下仍能保持可靠运行，减少了对复杂散热系统的需求，适用于紧凑型电源设计。其低反向漏电流在高温条件下也保持在较低水平（最大30μA @ 125°C），确保了在高负载和高温工况下的可靠性。UTD02R075还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达160A的峰值浪涌电流，增强了其在电网波动或启动冲击等瞬态条件下的鲁棒性。
　　在封装方面，TO-247-2L形式提供了良好的电气连接和热传导路径，便于与标准功率模块兼容，支持快速安装和高效散热。该封装还经过优化以减少寄生电感，进一步提升高频性能。总体而言，UTD02R075结合了碳化硅材料的优势与成熟封装技术，为现代高效电源系统提供了一个可靠、高效的解决方案。

UTD02R075广泛应用于各类高效率电力电子变换系统中，尤其适合需要高频开关和高能效的设计场景。在功率因数校正（PFC）电路中，该二极管常作为升压二极管使用，在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下表现出色，因其无反向恢复特性，可显著降低主开关器件（如MOSFET或SiC FET）的关断损耗，提升PFC级的整体效率。在太阳能光伏逆变器中，UTD02R075用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中，其高耐压和低导通损耗有助于提升能源转换效率，并增强系统在户外高温环境下的可靠性。
　　在电动汽车充电设备（EV Charger）和车载充电机（OBC）中，该器件用于DC-DC转换器和辅助电源模块，支持高功率密度设计。在工业电机驱动和UPS系统中，UTD02R075可用于续流二极管或钳位电路，提供快速响应和高可靠性。此外，该二极管也适用于服务器电源、电信电源（48V系统）和高端消费类电源适配器等高要求应用场景。得益于其宽温区工作能力和长期稳定性，UTD02R075在严苛工业环境和长时间连续运行系统中表现尤为突出。

UF3C065075K3S
　　C4D02120A
　　SDC20065L