类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（最大值2.8Ω）@ Vgs=10V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　连续漏极电流（Id）：7A（25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　输入电容（Ciss）：典型值900pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值36ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值25nC @ Vds=500V
　　功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-220

UTC7N60L采用先进的平面栅极工艺制造，确保了器件在高电压应用下的稳定性和耐用性。其600V的漏源击穿电压使其能够直接应用于全球通用交流输入（85V~265V AC）的开关电源系统中，无需额外的电压钳位电路即可安全运行。该器件的栅源阈值电压在2V至4V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，能够被常见的PWM控制器直接驱动，简化了驱动电路设计。
　　该MOSFET的导通电阻典型值为2.2Ω，在同类600V器件中处于较低水平，有助于减少导通损耗，提升电源效率。在实际应用中，特别是在连续导通模式下工作的反激变换器中，低Rds(on)意味着更少的发热，从而可以减少散热器尺寸或实现无风扇设计。同时，其高达7A的连续漏极电流能力使其适用于中小功率电源（如30W~100W范围），满足大多数适配器和LED照明电源的需求。
　　UTC7N60L具备良好的热稳定性，其最大功耗可达125W（在25℃环境温度下），得益于TO-220封装良好的热传导性能。器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，输入电容和输出电容较小，降低了高频开关过程中的驱动损耗和振荡风险。此外，其栅极电荷仅为25nC左右，表明该器件在高频开关应用中具有较快的开关速度和较低的驱动功率需求，适合工作在几十kHz到上百kHz频率范围内的开关电源拓扑。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在短时过压或感性负载突然断开时吸收一定的能量而不损坏。这一特性提高了系统在异常工况下的生存能力，减少了因瞬态电压冲击导致的现场故障率。综合来看，UTC7N60L以其高耐压、低导通电阻、良好热性能和高可靠性的特点，成为中功率开关电源设计中的理想选择。

UTC7N60L主要用于各类中等功率的开关模式电源系统，包括但不限于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块以及家用电器中的内置电源单元。它也常用于LED恒流驱动电源中，作为主开关管实现高效的能量转换。此外，该器件适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等隔离型DC-DC变换器拓扑结构，能够胜任从交流市电整流后进行高频斩波的任务。由于其具备良好的动态响应能力和较高的耐压等级，也被广泛应用于工业控制设备、智能电表、小型逆变器和电机控制电路中。在电磁炉、空气净化器、微波炉等家电产品中，UTC7N60L可用于功率调节和电源管理部分，保障系统长期稳定运行。其TO-220封装形式便于安装在PCB上并通过散热片进行有效散热，因此在空间有限但散热要求较高的应用场景中表现出色。同时，该器件的高性价比使其在成本敏感型消费电子产品中极具竞争力，是替代传统双极型晶体管或低性能MOSFET的理想升级方案。

KIA7N60, STP7NK60ZFP, FQP7N60L, SIHF7N60E