型号：UTC572M-B
　　通道类型：双N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)，每个通道：3.4A（最大值）
　　脉冲漏极电流(IDM)：10A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V；23mΩ @ VGS=6V
　　阈值电压(VGS(th))：0.4V~1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6

UTC572M-B采用先进的沟槽型MOSFET结构，能够在低电压应用中实现极低的导通电阻，从而显著降低功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为28mΩ，在更高栅压下可进一步降至23mΩ，这使其非常适合用于大电流开关场合，如同步整流、负载开关和电机驱动电路。该器件的阈值电压较低，典型值约为0.7V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或1.8V控制系统，无需额外的电平转换电路。
　　双通道设计使得UTC572M-B可以同时控制两个独立负载，或者构建半桥拓扑结构，适用于H桥电机驱动或双路DC-DC变换器设计。每个通道均具备良好的热匹配性，确保在多任务运行时温度分布均匀，避免局部过热问题。器件内部未集成体二极管，但在实际应用中可通过外接肖特基二极管优化反向电流路径，提升瞬态响应能力。
　　UTC572M-B具有出色的动态性能，输入电容仅为330pF，减少了栅极驱动所需的能量，有助于降低驱动IC的负担，并提升高频开关下的能效表现。反向恢复时间短至12ns，表明其在切换过程中产生的反向电流较小，有利于减少电磁干扰（EMI）和开关损耗。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级应用场景。
　　封装方面，SOT-23-6小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过焊盘接地可有效传导热量。该封装易于自动化贴装，适用于大规模生产。整体而言，UTC572M-B凭借其高性能、小尺寸与高可靠性，成为众多低压大电流开关应用的理想选择之一。

UTC572M-B常用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，作为电池供电路径上的负载开关或电源通断控制元件。在DC-DC降压转换器中，它可用于同步整流拓扑，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率。此外，该器件也适用于LED背光驱动电路，用于精确控制多路LED的开启与关闭。
　　在工业控制领域，UTC572M-B可用于传感器信号调理电路中的模拟开关，或作为继电器替代方案实现固态开关功能，具有响应速度快、寿命长、无机械磨损等优势。其双通道结构特别适合需要双路独立控制的应用场景，如双电机驱动、双电源选择或多路复用系统。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，UTC572M-B可用于GPIO扩展驱动，增强输出电流能力，驱动较大负载如蜂鸣器、小型继电器或指示灯。同时，由于其低阈值电压特性，能够直接由MCU的I/O口驱动，简化电路设计，减少外围元件数量。
　　此外，该器件还可应用于热插拔电路保护、USB端口电源开关以及电池充电管理系统中，提供快速响应的过流切断机制。得益于其高可靠性和紧凑封装，UTC572M-B也被广泛用于汽车电子中的低功耗模块，如车载信息娱乐系统、车内照明控制和小型执行器驱动等。

AOV572M, FDM572M, SI2302-CDS, TSM2302T, DMG572M