UTC3510G是一款由中电科南京恩瑞特实业有限公司(NRIET)推出的高性能单片微波集成电路(MMIC),主要用于雷达、通信和电子战系统中的低噪声放大器(LNA)和驱动放大器应用。该芯片基于GaAs(砷化镓)工艺制造,具有出色的增益性能、低噪声系数以及良好的线性度。
UTC3510G的工作频率范围为8GHz至20GHz,非常适合宽带射频和微波应用。其设计紧凑,能够以低成本实现高可靠性,在航空航天、国防工业以及其他高性能射频系统中有广泛应用。
工作频率范围:8GHz - 20GHz
增益:15dB(典型值)
噪声系数:2.5dB(典型值)
输入回波损耗:10dB(最小值)
输出回波损耗:10dB(最小值)
饱和输出功率:+14dBm(典型值)
电源电压:+5V
静态电流:75mA(典型值)
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
1. UTC3510G采用了先进的GaAs PHEMT技术,确保了其在高频段内的卓越性能。
2. 芯片拥有极低的噪声系数,适用于需要高灵敏度接收的场景,如卫星通信或雷达前端。
3. 其宽泛的工作频率范围使得它非常灵活,可以满足多种不同类型的微波应用需求。
4. 高增益和良好的线性度使其成为驱动. 封装坚固耐用,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
6. 支持较宽的温度范围,适应各种严苛的工作条件。
1. 雷达系统中的低噪声放大器和驱动放大器。
2. 卫星通信设备中的射频信号增强模块。
3. 微波链路中的信号放大组件。
4. 军用电子对抗系统的高频放大电路。
5. 商业和工业无线通信基础设施中的高性能放大器。
UTC3510F, UTC3510H