类型：NPN Bipolar Transistor
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：100~300（典型值）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

UTC2SD1816作为一款高性能NPN双极性晶体管，具备优异的开关与放大能力，适用于多种低功率应用场景。其核心优势之一是具备较高的直流电流增益（hFE），典型值范围为100至300，这意味着即使输入基极电流较小，也能实现较大的集电极电流输出，从而有效提升信号放大效率并降低驱动电路的设计难度。这一特性使其在音频前置放大、传感器信号调理等模拟电路中表现突出。
　　该器件的过渡频率（fT）高达150MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的增益特性，适合用于射频前端、高速开关电源以及数字逻辑接口电路中的信号切换。同时，UTC2SD1816的饱和压降较低，在饱和导通状态下，集电极-发射极之间的电压降（VCE(sat)）通常小于0.3V（当IC = 10mA时），这有助于减少功耗和发热，提高整体系统能效，特别适合电池供电设备中对功耗敏感的应用。
　　热稳定性方面，UTC2SD1816可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，具备较强的环境适应能力，适用于工业控制、汽车电子外围电路等恶劣工作条件下的应用。其SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺，适合大规模自动化生产。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏、高温存储寿命和温度循环等项目，确保长期使用的稳定性与一致性。

UTC2SD1816广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型用途包括但不限于：低频信号放大电路（如麦克风前置放大、传感器信号调理）、数字开关电路（如微控制器IO扩展驱动、LED指示灯控制）、电源管理模块中的稳压反馈通路、DC-DC转换器中的驱动级、通信接口电平转换以及消费类电子产品（如智能家居设备、便携式仪器、玩具电子等）中的逻辑控制单元。由于其良好的频率响应和稳定的增益特性，也常被用于射频接收前端的小信号放大环节。此外，在工业自动化设备中，该器件可用于光电耦合器的输出级驱动或继电器驱动电路的缓冲级，起到隔离与增强驱动能力的作用。其紧凑的SOT-23封装使其成为高密度PCB设计的理想选择，尤其适用于追求小型化和轻量化的现代电子产品。