类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：8A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：典型值约900pF
　　输出电容（Coss）：典型值约150pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值约30ns

UTC2N60L-B采用高性能的平面沟槽栅工艺，具备优异的电气性能和稳定性，能够在高电压环境下可靠运行。其600V的高击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和充电器等。器件在室温下的导通电阻低至3.5Ω，这有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效并减少了对散热系统的依赖。此外，该MOSFET具有较高的栅极阈值电压（2~4V），确保在噪声环境中不易误触发，增强了系统的抗干扰能力。
　　该器件的开关速度较快，输入和输出电容较小，有利于实现高频开关操作，减少开关过程中的能量损耗。其快速的反向恢复时间（trr约30ns）也降低了体二极管在关断时的反向恢复电荷，进一步提升了效率并抑制了电压尖峰的产生，这对提高电源系统的EMI性能非常有利。TO-220封装提供了良好的热传导路径，使器件在持续负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　UTC2N60L-B经过严格的质量控制流程生产，符合RoHS环保要求，并具备高可靠性与长期稳定性。它能够在-55℃至+150℃的宽结温范围内正常工作，适应各种严苛的应用环境。此外，该MOSFET内部未集成保护二极管或稳压结构，因此在实际使用中建议外部添加适当的栅极驱动电阻和钳位电路，以防止过压损坏和振荡问题。总体而言，UTC2N60L-B是一款性价比高、性能稳定的高压MOSFET，适用于多种中等功率电力电子应用。

UTC2N60L-B广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，如离线式反激变换器（Flyback Converter）、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源以及小型逆变器等。由于其具备600V的高耐压能力，特别适合连接整流后的市电（如220V AC经桥式整流后约310V DC），可在一次侧作为主开关管使用。在这些应用中，该MOSFET通过高频开关调节能量传输，实现高效的电压转换与稳压输出。
　　此外，该器件也可用于DC-DC升压或降压拓扑结构中，尤其适用于输入电压较高的工业控制系统或太阳能发电系统中的功率调节模块。在电机驱动领域，UTC2N60L-B可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，提供可靠的通断控制功能。
　　在消费类电子产品中，如电视、显示器、路由器等内置电源模块中，UTC2N60L-B因其体积小、效率高、成本低等优势被广泛采用。同时，其TO-220封装便于安装散热片，适用于需要一定功率密度但又不追求极致小型化的应用场景。在工业自动化设备、智能家电和UPS不间断电源中，该器件也能胜任基本的功率切换任务，保障系统稳定运行。

K2N60, FQPF2N60C, STP2NA60, 2N60K, AP2N60L