UTC15N10 时间：2025/9/11 9:08:36 阅读：10

UTC15N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，由UTC（Unisonic Technologies）公司生产。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，适用于各种高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。UTC15N10采用TO-252或类似表面贴装封装，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏-源极电压（VDS）：100V
　　栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约50mΩ（典型值，取决于VGS）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

UTC15N10具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现卓越。首先，其高耐压能力（VDS=100V）允许在中高压系统中使用，适用于多种电源管理场景。其次，低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，UTC15N10具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，适合长时间高负载运行的环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了系统的灵活性。UTC15N10还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高响应速度。其封装设计优化了散热性能，有助于提升整体可靠性。这些特性共同保证了UTC15N10在高要求应用中的稳定性和耐用性。

应用

UTC15N10广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED驱动器和电控单元（ECU）。由于其高可靠性和高效率特性，UTC15N10适用于对性能和稳定性要求较高的工业和消费类电子产品。