类型：碳化硅肖特基二极管
　　额定电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：10A
　　峰值脉冲电流（IFSM）：120A（半正弦波，60Hz）
　　正向压降（VF）：典型值1.45V @ 10A, 25°C；最大值1.7V @ 10A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值10μA @ 25°C，最大值200μA @ 150°C
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约2.0°C/W
　　封装形式：S16 表面贴装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性配置：单个肖特基二极管
　　RoHS合规：是
　　湿度敏感等级（MSL）：3，260°C回流焊兼容

UTA31101G-S16-R的核心优势在于其基于650V碳化硅材料平台构建的卓越电学性能。由于碳化硅材料具有宽禁带特性，该二极管在高温下仍能保持极低的反向漏电流和稳定的正向导通特性，显著优于传统硅快恢复二极管或超快恢复二极管。其最突出的特点之一是没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅减少开关损耗、电磁干扰（EMI）和电压振铃现象，提升系统可靠性并简化滤波设计。
　　此外，该器件具备出色的动态性能，在高频工作条件下仍能维持高效运行，适用于现代高开关频率的电源拓扑，如图腾柱无桥PFC电路，这类拓扑对二极管的反向恢复行为极为敏感。UTA31101G-S16-R的低正向压降（VF）结合零Qrr特性，可在全负载范围内实现更高的系统效率，尤其在轻载和中载工况下节能效果更为明显。
　　该器件的工作结温可达+175°C，支持在高温环境中长期运行，增强了系统的热设计灵活性。其S16封装采用优化的引脚布局和低寄生电感设计，有助于减少高频下的电磁干扰和功率环路中的电压过冲。同时，该封装支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产，提高了制造效率和一致性。UTA31101G-S16-R还具备良好的抗浪涌电流能力，可承受高达120A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，这款碳化硅二极管为追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子系统提供了理想解决方案。

UTA31101G-S16-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。典型应用场景包括通信电源和服务器电源中的有源钳位反激（ACF）、LLC谐振变换器及图腾柱功率因数校正（PFC）电路，这些拓扑对二极管的开关速度和反向恢复特性要求极高，而该器件的零Qrr特性可有效提升整机效率并降低散热需求。
　　在可再生能源领域，该器件被用于光伏（PV）逆变器的直流链路续流或隔离型DC-DC转换部分，利用其高温稳定性和低损耗特性提升发电效率和系统寿命。在电动汽车基础设施中，UTA31101G-S16-R可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源或主功率回路中，满足汽车级高可靠性要求。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、焊接设备以及高密度AC-DC和DC-DC电源模块。其优异的热性能和紧凑封装使其特别适合空间受限但散热条件有限的设计场景。在需要提升功率密度和降低系统总成本的应用中，UTA31101G-S16-R可通过减少散热器尺寸、简化EMI滤波电路和提高开关频率来实现系统级优化。

UTA31101G-E3-A,R
　　C4D10065D