时间：2025/12/27 7:45:27
阅读：10
UT9971PL-AA3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术，专为高效率、高频率和高温应用而设计。碳化硅材料具有宽禁带特性，使其相比传统的硅基二极管在性能上具备显著优势，包括更低的正向压降、更高的热导率、更强的抗辐射能力以及更优的开关特性。UT9971PL-AA3-R属于UnitedSiC的UDx系列碳化硅二极管产品线，适用于要求严苛的电源转换系统。
该器件封装形式为TO-252（DPAK），是一种表面贴装型功率封装，便于自动化装配并具备良好的散热性能。其引脚配置简洁，适合在紧凑型电源设计中使用。UT9971PL-AA3-R广泛应用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源和不间断电源（UPS）等需要高效能和高可靠性的场合。由于其零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，该二极管在高频开关电路中可大幅降低开关损耗，提升系统整体效率。此外，该器件无需复杂的缓冲电路即可实现快速开关动作，有助于简化电路设计并提高功率密度。
类型：碳化硅肖特基二极管
极性：单二极管
重复峰值反向电压（VRRM）：650V
直流反向电压（VR）：650V
平均整流电流（IF(AV)）：10A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：140A（半正弦波，8.3ms）
正向电压（VF）：典型值1.65V（在10A, 25°C下）
最大工作结温（TJ）：175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装
反向漏电流（IR）：典型值250μA（在650V, 25°C下），最大5mA（在650V, 150°C下）
热阻（RθJC）：约2.5°C/W
反向恢复时间（trr）：近似为0（无少子存储效应）
UT9971PL-AA3-R的核心特性源于其采用的碳化硅（SiC）材料体系。与传统硅基PIN二极管不同，该器件基于肖特基势垒原理设计，避免了少数载流子的注入与复合过程，因此不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr）。这一特性在高频硬开关拓扑（如PFC升压级、LLC谐振变换器、图腾柱PFC等）中具有决定性优势，能够显著减少开关节点的电压振荡和电磁干扰（EMI），同时降低主开关器件（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，提升系统效率可达2%～5%。此外，在轻载或部分负载条件下，效率增益更为明显，有助于满足能源之星、80 PLUS Titanium等高能效标准。
该二极管具备出色的热稳定性，其正向电压温度系数呈正相关，即随着结温升高，VF略有上升，这种特性有利于在多管并联应用中实现自然的电流均衡，防止热失控现象。同时，器件可在高达175°C的结温下持续工作，适用于高温环境下的工业与车载应用。在可靠性方面，UT9971PL-AA3-R通过了严格的AEC-Q101认证（若适用），具备高鲁棒性，能够承受反复的热循环和机械应力。其TO-252封装支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，并可通过PCB上的散热焊盘有效传导热量，实现良好的热管理。此外，该器件对dv/dt噪声具有天然抗扰能力，无需额外的RC缓冲电路，进一步简化设计并节省空间。
UT9971PL-AA3-R广泛用于各类高效率电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常被用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，替代传统的超快恢复二极管，以降低损耗并提升功率密度。在光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压级或输出整流级，凭借其低VF和零Qrr特性，显著提升转换效率并减少散热需求。在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩模块，UT9971PL-AA3-R都能在高频率、高电压条件下稳定运行，提升充电效率并缩短充电时间。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源和焊接电源等设备中，该二极管可用作续流二极管或钳位二极管，提供快速响应和高可靠性。由于其优异的高温性能，也适用于密闭或风冷受限的恶劣环境。随着碳化硅技术的普及，UT9971PL-AA3-R正逐步成为中高功率电源设计中的首选整流器件之一。
UF3C065040KU
SCH2060AHE3/45
C4D10065A
GSiC65100D
