型号：UT9564G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　极性：N-Channel
　　漏源电压Vds：60V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：5.4A
　　脉冲漏极电流Idm：21A
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：28mΩ
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=4.5V）：37mΩ
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=2.5V）：55mΩ
　　阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.2V
　　输入电容Ciss：520pF
　　输出电容Coss：190pF
　　反向传输电容Crss：50pF
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　关断延迟时间td(off)：22ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散Pd：1W（@Ta=25°C）

UT9564G-TN3-R具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为28mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流开关应用。即使在较低的栅极驱动电压下，如4.5V或2.5V，该器件仍能保持较低的导通电阻（分别为37mΩ和55mΩ），这使其非常适合由3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景，例如嵌入式系统中的负载开关或电源路径控制。
　　该MOSFET采用先进的沟槽工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，同时有效抑制了短沟道效应，增强了器件在高频开关条件下的稳定性。其输入电容（Ciss）为520pF，输出电容（Coss）为190pF，反向传输电容（Crss）仅为50pF，这些低电容特性有助于减少驱动电路的功耗并提高开关速度，从而降低动态损耗，提升系统整体效率。
　　器件的阈值电压范围为1.0V至2.2V，确保在低电压启动条件下也能可靠开启，避免因驱动不足导致的非饱和导通问题。其快速的开关响应时间（开启延迟8ns，关断延迟22ns）使得该MOSFET能够在高频PWM控制中表现出色，适用于DC-DC变换器、同步整流等对开关速度要求较高的应用。
　　UT9564G-TN3-R还具备优良的热性能，SOT-23-3封装虽小，但通过优化引脚布局和内部结构，实现了较好的散热能力。其最大功率耗散为1W（在25°C环境温度下），结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境温度下的长期可靠运行。此外，器件内部集成体二极管，具有一定的反向恢复能力，可在感性负载切换时提供保护作用。整体而言，UT9564G-TN3-R是一款集高效率、小尺寸、强驱动兼容性和高可靠性于一体的现代MOSFET解决方案。

UT9564G-TN3-R因其优异的开关特性、低导通电阻和逻辑电平兼容性，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池供电路径的开关控制、电源多路复用以及背光LED驱动电路，实现高效节能的电源管理功能。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用作同步整流开关或主开关元件，特别是在降压（Buck）转换器中，其低Rds(on)和快速开关特性有助于提高转换效率，减少发热，延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，UT9564G-TN3-R可用于H桥或半桥电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，常见于玩具、家用电器和微型机器人系统。
　　工业控制领域中，该MOSFET适用于PLC模块、传感器电源开关、继电器替代方案等需要高可靠性和长寿命的场合。由于其具备良好的抗干扰能力和宽温工作范围，也适合部署在汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统、车灯控制模块或电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制。
　　在消费类电子产品如无线路由器、机顶盒、智能插座等设备中，UT9564G-TN3-R可用于实现负载开关或热插拔保护，防止上电冲击电流损坏后级电路。其SOT-23-3小型封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择，尤其适合自动化贴片生产流程，提升制造效率和产品一致性。

AO3400, SI2302DS, FDN340P, IRLML6344, BSS138