型号：UT75N03L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.3mΩ @ VGS=10V, ID=37.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=37.5A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：1200pF
　　反向传输电容（Crss）：350pF
　　栅极电荷（Qg）：65nC @ VDS=20V, ID=75A, VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

UT75N03L采用了先进的沟槽栅极工艺技术，这种结构能够在单位面积内实现更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升器件的整体导电能力。在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为2.3mΩ，即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持3.0mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场合，例如同步整流、大电流DC-DC变换器等。低RDS(on)不仅减少了导通损耗，还降低了温升，有助于提高系统的整体效率和可靠性。
　　该器件具备优异的开关性能，输入电容Ciss为4500pF，反向传输电容Crss为350pF，在高频工作条件下表现出较小的驱动损耗和较快的开关速度。配合65nC的总栅极电荷（Qg），使其在硬开关和软开关拓扑中均能实现快速响应，减少开关过程中的能量损耗。此外，体二极管的反向恢复时间trr仅为25ns，表明其寄生二极管具有良好的反向恢复特性，可有效抑制电压尖峰和振荡，提升系统EMI表现。
　　UT75N03L支持高达75A的连续漏极电流，并能在短时间内承受300A的脉冲电流，展现出强大的过载能力和动态响应能力。其最大工作结温可达+150℃，结合TO-252封装的良好热传导性能，可在高温环境下长期稳定运行。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V控制系统，增强了其在不同应用场景下的适应性。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的抗干扰能力和操作安全性，防止因栅极过压导致的器件损坏。

UT75N03L因其低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，广泛应用于各类中高功率电源系统中。常见用途包括同步降压变换器（Buck Converter）中的主开关或整流开关，尤其适用于服务器电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等对效率要求较高的场合。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电控制开关，实现低损耗的能量传递与保护功能。此外，它也常被用于电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和精确控制。
　　在便携式电子设备中，UT75N03L可用作负载开关或热插拔控制器，实现对子系统的上电时序管理和浪涌电流限制。由于其支持高脉冲电流，因此在启动瞬间需要大电流的设备中表现尤为出色。在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC模块、继电器替代方案或电磁阀驱动，提升系统响应速度并降低发热。同时，得益于其表面贴装封装（TO-252），UT75N03L适用于自动化贴片生产线，提高了制造效率和产品一致性。
　　在汽车电子方面，尽管不属于车规级器件，但UT75N03L仍可用于部分非关键辅助系统，如车载照明、小型风扇驱动或USB充电模块中，提供稳定可靠的功率控制。总体而言，该器件凭借其高性能指标和经济性，已成为许多电源设计工程师在30V以下应用中的首选之一。

AP75N03GH-HF
　　Si7852DP-T1-E3
　　IRL7533PBF
　　FDS7535