型号：UT7401L-AE3-R
　　制造商：United Silicon Carbide (Uscemi)
　　产品类型：SiC MOSFET
　　沟道类型：N-Channel
　　漏源电压VDS：1200 V
　　连续漏极电流ID @ 25°C：1.5 A
　　脉冲漏极电流IDM：6 A
　　导通电阻RDS(on) @ 25°C：1.1 Ω
　　导通电阻RDS(on) @ 175°C：1.8 Ω
　　栅极阈值电压VGS(th)：4.0 V（典型值）
　　栅源极电压VGS max：+20 V / -10 V
　　最大功耗PD：75 W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +175°C
　　输入电容Ciss：47 pF @ 1 MHz
　　输出电容Coss：19 pF @ 1 MHz
　　反向恢复时间trr：无体二极管反向恢复（理想二极管行为）
　　封装形式：TO-252-3（DPAK）
　　安装方式：表面贴装/SMD

UT7401L-AE3-R作为一款高性能碳化硅MOSFET，具备多项显著的技术优势。首先，其高达1200V的耐压能力使其非常适合用于高压直流母线系统，如光伏逆变器、工业电机驱动及高压DC-DC变换器中。在高温工作条件下，该器件仍能保持优异的电气性能，其最大结温可达+175°C，远高于传统硅器件的150°C上限，从而提升了系统的热裕度与长期可靠性。其次，该器件的导通电阻RDS(on)在室温下仅为1.1Ω，即便在高温环境下上升至1.8Ω，依然低于同等规格的硅MOSFET，这有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　另一个关键特性是其极低的开关损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，UT7401L-AE3-R具有非常小的寄生电容（Ciss=47pF, Coss=19pF），大幅减少了栅极驱动能量需求和开关过程中的动态损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如在MHz级软开关拓扑或图腾柱PFC电路中，可以显著提升电源的功率密度并减小磁性元件体积。此外，该器件不具备传统硅MOSFET中的体二极管，因此在反向导通时不会产生反向恢复电荷Qrr和反向恢复电流Irr，从根本上消除了由体二极管引起的电磁干扰（EMI）和额外损耗，特别适合需要频繁换流的应用场景。
　　UT7401L-AE3-R还具备良好的栅极氧化层可靠性，支持±20V的栅源电压摆幅（推荐工作范围为-10V至+20V），增强了其在复杂驱动环境下的鲁棒性。其TO-252-3（DPAK）封装不仅便于自动化贴片生产，而且具备优良的热传导路径，可通过PCB敷铜或外加散热片实现高效散热。综合来看，该器件在效率、温度耐受性、开关速度和系统集成度方面均表现出色，是现代高能效电力电子系统的理想选择之一。

UT7401L-AE3-R凭借其高压、高温和高效率的特性，广泛应用于多个高端电力电子领域。在可再生能源系统中，它常用于光伏（PV）逆变器的DC-AC转换级，尤其是在组串式或微型逆变器中，能够实现更高的转换效率和更小的系统体积。在电动汽车相关设备中，该器件适用于车载充电机（OBC）、直流快充桩的PFC前端及DC-DC升压模块，帮助提升充电效率并降低热管理成本。在工业电源领域，UT7401L-AE3-R被用于高功率密度的服务器电源、电信整流器和UPS不间断电源系统，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中表现突出，能够显著减少无功能耗并提高整体PF值。
　　此外，在感应加热、工业电机驱动和高端LED驱动电源中，该器件也能发挥其高频开关优势，支持更高频率的工作模式，从而减小滤波元件尺寸并提升响应速度。由于其无体二极管反向恢复的特性，特别适合用于LLC谐振转换器、ZVS/ZCS软开关电路等对换向损耗敏感的应用。在航空电子和轨道交通等对可靠性要求极高的场合，UT7401L-AE3-R的宽温域和高耐压能力也使其成为可靠的选择。随着碳化硅技术的不断普及，该器件正逐步替代传统IGBT和硅MOSFET，推动电力电子系统向更高效、更紧凑的方向发展。

Cree（Wolfspeed） C2M0160120D
　　Infineon IMW120R016M1H
　　ROHM SCT3017AL
　　ON Semiconductor NGTB20N120FL2WG