型号：UT70P02
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VDS=10V, TJ=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.6V
　　栅极电荷（Qg）：8nC（@VGS=0V to -4.5V）
　　输入电容（Ciss）：450pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@VDS=-10V）
　　二极管正向电压（VSD）：-0.8V（@IS=-100mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UT70P02采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻，典型值在VGS=-4.5V时仅为22mΩ，这使得器件在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该特性尤其适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压下（如-2.5V），其RDS(on)仍保持在28mO以下，表明其具备良好的低压驱动能力，兼容现代低电压逻辑信号直接控制，无需额外的驱动电路或电平转换器，从而简化了电源管理设计并降低了整体成本。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为8nC，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，不仅降低了驱动电路的负担，也减少了开关损耗，提升了高频开关应用中的能效表现。配合较低的输入电容（Ciss=450pF）和反向传输电容（Crss=50pF），UT70P02在高速开关场合表现出优异的响应速度和稳定性，适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等对动态响应要求较高的应用场景。
　　UT70P02具备良好的热稳定性和可靠性，其最大工作结温可达+150°C，能够在高温环境下持续稳定运行。内置的体二极管具有较低的正向导通压降（-0.8V @ -100mA），可在反向电流路径中提供高效续流通道，适用于H桥、电机驱动等存在感性负载的电路中。此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD保护性能良好），并通过了严格的工业级可靠性认证，符合无铅和RoHS环保标准，适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多种领域。其SOT-23封装体积小巧，便于自动化贴片生产，适合高密度PCB布局需求。

UT70P02广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中，尤其适合作为高端开关用于电池供电设备的电源通断控制。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，常被用作主电源或外设模块的负载开关，通过微控制器的GPIO信号即可实现对电源路径的精确控制，达到节能待机或热插拔管理的目的。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少静态功耗和瞬态损耗，提升整机能效。
　　在DC-DC转换电路中，UT70P02可用于同步整流或高端驱动拓扑结构，替代传统的二极管整流方案，大幅降低整流过程中的电压降和发热问题，提高转换效率。此外，它也可用于OR-ing电路、电源多路选择器以及反向极性保护电路中，防止因电源接反而导致的设备损坏。在工业传感器、IoT节点和无线通信模块中，UT70P02常被集成于电源管理单元（PMU）中，实现按需上电和模块级电源隔离，延长设备工作寿命。
　　由于其支持3.3V和5V逻辑电平直接驱动，UT70P02在嵌入式系统和单板计算机中也得到广泛应用，例如树莓派扩展板、STM32开发板等，用于控制外设供电或实现软件可控的复位机制。此外，在LED驱动、小型电机控制和USB电源开关等场景中，该器件也能发挥出色的性能，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

AP2302GN\AP2302\SI2302\AO3401\RTQ2103\FDG330N