时间：2025/5/30 16:18:24
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UT70N03L-TN3-T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
此型号属于 UT 系列 MOSFET，优化了静态和动态性能参数，适合高频应用环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：41A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：49nC
开关时间：ton=18ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 41A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性，具有较低的栅极电荷和优化的开关时间，非常适合高频开关电路。
4. 增强的热稳定性设计，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小巧封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的功率分配与控制。
IRF7406TRPBF, FDP068N03L, AO6802
