型号：UT70N03G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOP-8
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：70A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：280A
　　导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ（@VGS=10V, ID=35A）
　　导通电阻(RDS(on))：4.0mΩ（@VGS=4.5V, ID=35A）
　　栅极电荷(Qg)：45nC（@VGS=10V）
　　输入电容(Ciss)：2300pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到环境(θJA)：62℃/W
　　热阻结到外壳(θJC)：1.2℃/W

UT70N03G-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具有极低的导通电阻，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提升了整体系统效率。其典型RDS(on)仅为3.2mΩ（在VGS=10V条件下），即使在高负载情况下也能保持较低的温升，有助于延长器件寿命并减少散热设计复杂度。该MOSFET的栅极设计优化了电荷注入效率，使得Qg仅为45nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，特别适合用于高频开关电源中以降低驱动损耗。此外，较低的输入电容（Ciss=2300pF）进一步减少了开关过程中的充放电时间，加快了开关速度，提升了响应能力。
　　该器件具备出色的热性能，得益于SOP-8封装的高效散热设计以及低热阻结到外壳（θJC=1.2℃/W），能够快速将芯片产生的热量传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）使其可在恶劣环境下可靠运行，适用于工业级应用场景。UT70N03G-TN3-R还具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层结构，能够在电压瞬变或负载突变时提供更高的安全裕度，防止因电压击穿造成的永久性损坏。
　　在实际应用中，该MOSFET表现出优异的动态性能，反向恢复时间短（trr=28ns），有效减少了体二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰，提升了系统的EMI表现。同时，其栅源电压耐受能力达到±20V，增强了对异常驱动信号的容忍度，提高了系统稳定性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求，虽非专用车规型号，但在部分汽车电子辅助系统中也有应用潜力。此外，产品采用无铅、无卤素材料制造，符合现代绿色制造趋势，适用于出口型电子产品和环保认证项目。

UT70N03G-TN3-R广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，可显著提高转换效率并降低发热。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，常被用作电池保护电路中的充放电控制开关，实现过流、短路和反接保护功能。
　　该器件也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供足够的电流驱动能力和快速响应速度，确保电机平稳启停和精确控制。在LED驱动电源中，UT70N03G-TN3-R可用于恒流源的开关调节部分，配合PWM调光实现高效亮度控制。
　　此外，它还可用于热插拔控制器、负载开关、电源管理单元（PMU）以及服务器和通信设备的板级电源分配系统中。由于其封装小巧且性能优越，特别适合高密度PCB布局设计，节省空间的同时不牺牲性能。在太阳能充电控制器、电动工具和无人机电源系统中也有广泛应用前景。得益于其良好的热稳定性和抗干扰能力，该MOSFET在工业自动化设备、智能家电和物联网终端设备中同样表现出色，是现代中低压功率开关应用的理想选择之一。

UT70N03G-TN3-F
　　AP70N03GP-HF
　　SI7955DP-T1-E3
　　FDS6680A
　　AON6260