型号：UT6401L-AG6-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：18 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　导通电阻（RDS(on)）：60 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5 V
　　最大栅源电压（VGS(max)）：+6.5 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1050 pF
　　输出电容（Coss）：290 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN8x8（热增强型）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UT6401L-AG6-R的核心优势在于其基于氮化镓半导体材料的物理特性，使其在高频开关应用中表现出远超传统硅基MOSFET的性能。首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on) = 60 mΩ），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现，尤其在大电流应用场景下效果更为明显。
　　其次，由于氮化镓材料具备更高的电子迁移率，UT6401L-AG6-R能够实现极快的开关速度，其输入电容（Ciss）仅为1050 pF，输出电容（Coss）为290 pF，使得在数百kHz至数MHz的开关频率下仍能保持较低的开关损耗。这种高频操作能力不仅提高了电源系统的功率密度，还允许使用更小尺寸的电感和电容，从而缩小整个电源模块的体积。
　　此外，该器件为增强型（e-mode）设计，即在零栅极偏压下处于关断状态，符合主流驱动电路的安全逻辑要求，无需额外的负压关断电路，简化了栅极驱动设计并降低了系统复杂度。其栅极阈值电压为3.5 V，兼容标准逻辑电平驱动信号（如12 V或10 V驱动），可直接与常见的控制器和驱动IC配合使用。
　　UT6401L-AG6-R还具备极低的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0 C），因为其结构本质上是单极性器件，不存在体二极管的少子存储效应，因此在硬开关或同步整流拓扑中几乎不会产生反向恢复电流尖峰，有效减少了电磁干扰（EMI）和开关节点振铃现象，提升了系统可靠性和稳定性。
　　在封装方面，该器件采用热增强型DFN8x8封装，底部带有裸露焊盘，极大改善了从结到PCB的热传导路径，确保在高功率密度应用中能够有效散热，延长器件寿命。同时，该封装具有较小的引线电感，进一步优化了高频开关性能。综合来看，UT6401L-AG6-R凭借其低损耗、高频率、高可靠性等特性，成为现代高效电源系统中的理想选择。

UT6401L-AG6-R广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，该器件被用于图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路中，利用其快速开关能力和零反向恢复特性，实现超过99%的转换效率，满足80 PLUS钛金等高端能效标准。
　　在通信电源系统中，如48 V转12 V中间母线转换器（IBC），UT6401L-AG6-R可用于ZVS或ZCS软开关拓扑结构中，显著提升功率密度并减少散热需求，适应高密度机架式设备的空间限制。
　　在可再生能源领域，该器件适用于光伏微型逆变器和储能系统中的DC-DC升压或双向转换电路，其高温工作能力和高耐压特性使其能够在户外复杂环境下长期稳定运行。
　　在电动汽车相关应用中，UT6401L-AG6-R可用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，支持双向能量流动和高效率电能变换，助力电动车辆实现更长续航和更快充电。
　　此外，在工业电机驱动、LED大功率驱动电源以及高端消费类适配器（如笔记本电脑GaN充电器）中，该器件也能发挥其小型化和高效的优势，推动终端产品向轻薄化、节能化发展。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+150°C）也确保了在极端工业环境下的适用性。

EPC2045
　　GS-065-018-1-L
　　LMG3410R050