UT62L1024SC-70LL 时间：2025/12/27 7:27:37 阅读：21

UT62L1024SC-70LL是一款由UTC（友顺科技）推出的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为1Mbit（128K x 8位），采用高速访问时间设计，典型访问时间为70纳秒。该器件广泛应用于需要快速数据读写和低功耗特性的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信模块以及消费类电子产品中。UT62L1024SC-70LL工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于3.3V供电系统，具备低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗可降至数微安级别，有效延长电池供电设备的使用寿命。该芯片采用标准的异步SRAM接口，无需刷新操作，使用简便，兼容性强，能够直接替换多数同类3.3V SRAM产品。封装形式为SOIC-32或TSOP-II-32，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。UT62L1024SC-70LL集成了高可靠性的设计工艺，具备良好的抗干扰能力和数据保持能力，适合长时间连续运行的应用场景。此外，该器件无铅封装，符合RoHS环保要求，适用于绿色电子产品制造。

参数

类型：CMOS SRAM
　　密度：1Mbit (128K × 8)
　　组织结构：131,072 × 8
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：70ns
　　工作电流（最大）：18mA（典型值）
　　待机电流（CMOS）：≤10μA
　　封装形式：SOIC-32 或 TSOP-II-32
　　引脚数量：32
　　输入/输出逻辑电平：TTL/CMOS 兼容
　　写使能信号：WE#
　　输出使能信号：OE#
　　片选信号：CE#
　　数据保持电压：≥2.0V
　　数据保持电流：
　　100μA（典型）

特性

UT62L1024SC-70LL具备优异的低功耗性能，特别适合于便携式设备和电池供电系统。其核心优势在于在保持高速访问能力的同时实现了极低的动态与静态功耗。在正常工作模式下，该SRAM通过优化的CMOS制造工艺将工作电流控制在较低水平，典型值仅为18mA，显著低于传统SRAM器件。当系统进入待机或休眠状态时，通过激活CE#（Chip Enable）信号可使芯片进入低功耗待机模式，此时内部电路大部分关闭，仅维持基本的数据保持功能，待机电流可低至10μA以下，极大降低了整体系统能耗。
　　该芯片具有70ns的快速访问时间，能够在高频系统总线下稳定运行，支持实时数据处理需求。其异步控制接口设计简化了与微控制器、DSP或FPGA等主控芯片的连接，无需复杂的时序配置或刷新管理，提升了系统设计的灵活性与可靠性。所有输入端口均内置施密特触发器和上拉/下拉电阻，增强了信号稳定性，有效抑制噪声干扰，提高了在电磁环境复杂场合下的抗干扰能力。
　　UT62L1024SC-70LL采用先进的制造工艺，确保了数据存储的高可靠性与长期稳定性。在宽温范围内（-40°C至+85°C）均可稳定工作，适用于工业自动化、车载电子、医疗设备等多种严苛应用场景。封装符合RoHS标准，采用无铅焊接技术，支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温老化、温度循环、湿度敏感性等级评估等，保证了批量应用中的高良率和长寿命表现。

应用

UT62L1024SC-70LL广泛应用于各类需要高速、低功耗、非易失性辅助存储的电子系统中。常见于嵌入式控制系统，如工业PLC、HMI人机界面、远程数据采集终端等，用于缓存程序代码、实时数据或通信缓冲区。在网络通信领域，该芯片可用于路由器、交换机、光模块中的帧缓存或协议处理中间存储，利用其快速响应能力提升数据吞吐效率。在消费类电子产品中，如智能仪表、POS机、家用安防设备、多媒体播放器等，也常作为主控MCU的扩展内存使用，解决片上RAM不足的问题。
　　由于其宽温特性和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子系统，例如车载导航、ECU控制单元、CAN总线通信模块等，在极端温度环境下仍能保持数据完整性。此外，在医疗监测设备、测试测量仪器等领域，UT62L1024SC-70LL因其稳定的数据保持能力和抗干扰设计而被广泛采用。对于需要临时存储大量传感器数据或图像信息的物联网边缘设备，该SRAM提供了一种高效、节能的解决方案，尤其适合与低功耗MCU配合使用，构建长时间运行的无线传感节点。