类型：CMOS SRAM
　　容量：64Kbit (8K x 8)
　　组织结构：8K x 8
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：DIP-28
　　访问时间：120ns / 150ns / 200ns（依具体速度等级而定）
　　工作模式：异步
　　读写操作：支持异步读写
　　待机电流：≤ 10μA（典型值）
　　工作电流：≤ 35mA（最大值）
　　输入电平：TTL 兼容
　　三态输出：支持
　　片选信号：CE, OE, WE 控制
　　封装尺寸：标准 DIP-28 尺寸
　　引脚数量：28 引脚
　　存储保持电压：≥ 2.0V

UT6264CPCL具备优异的电气特性和稳定的读写性能，其核心优势在于全静态CMOS设计，能够在无时钟动态驱动的情况下维持数据完整性，适用于各种非连续运行的系统环境。该芯片采用先进的制造工艺，确保了低功耗与高速响应之间的良好平衡，在典型工作条件下，静态待机电流极低，显著延长了电池供电设备的使用寿命。其120ns至200ns的访问时间满足大多数中高速应用需求，尤其适合用于单片机系统中的外扩数据存储、缓存区构建或实时数据采集缓冲。器件内部集成高增益触发器结构，增强了存储单元的抗噪声能力和数据保持能力，即使在复杂电磁环境中也能稳定运行。
　　UT6264CPCL支持完整的地址与数据分离架构，拥有8位双向数据总线和13位地址总线（A0-A12），可寻址8192个字节空间，便于与8位微处理器或微控制器直接接口。其控制逻辑采用三级使能机制——片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）——实现了精细的读写控制，支持部分写入（仅写入特定字节）和全局写入操作，并可通过组合控制信号实现低功耗待机模式。当所有使能信号无效时，输出自动进入高阻态，避免总线冲突，提升系统安全性。
　　该器件符合工业级环境标准，能在0°C至+70°C温度范围内可靠工作，具备较强的抗静电（ESD）能力和过压保护设计，增强了现场使用的鲁棒性。DIP-28封装不仅便于手工焊接和原型开发，还具有良好的热传导性能，有助于在持续高负载运行下维持芯片温度稳定。此外，UT6264CPCL与主流64Kbit SRAM如IS62C64、CY6264、HM6264等引脚兼容，方便客户进行替代选型或设计迁移，降低开发成本与周期。整体而言，UT6264CPCL是一款成熟可靠的通用型SRAM器件，兼顾性能、功耗与易用性，适用于广泛的中低端嵌入式存储应用场景。

UT6264CPCL广泛应用于各类需要外部数据存储功能的电子系统中。常见用途包括作为单片机（MCU）或DSP系统的外扩RAM，用于存储临时变量、堆栈数据或中间计算结果，特别是在内置RAM不足的情况下提供灵活的存储扩展方案。在工业控制领域，该芯片可用于PLC控制器、传感器数据采集模块和人机界面（HMI）设备中，作为高速缓存或历史数据暂存区，确保关键信息不丢失。在通信设备中，如调制解调器、网络交换模块或串口服务器，UT6264CPCL可用于协议数据包的缓冲存储，提升数据吞吐效率。
　　消费类电子产品如智能仪表、POS终端、家用医疗设备（如血压计、血糖仪）也常采用该芯片来保存运行状态或用户设置信息。由于其异步接口特性，UT6264CPCL非常适合与8051、PIC、AVR等传统8位处理器搭配使用，简化硬件设计并减少外围元件数量。此外，在教育实验平台和开发板中，因其DIP封装易于插拔和调试，常被用于教学演示SRAM工作原理或存储器扩展实验。
　　在汽车电子辅助系统中，如车载诊断设备（OBD）或行车记录仪前端控制模块，UT6264CPCL可承担日志缓存或配置参数存储任务。测试测量仪器如示波器、频率计等利用其快速读写能力进行采样数据暂存。总体来看，UT6264CPCL凭借其稳定性、兼容性和成熟供应链，成为许多中小型嵌入式项目中首选的64Kbit SRAM解决方案。

IS62C64AL-12TI, CY6264S-70ZXC, HM6264BLP-12, AS6C6416-12TIN