类型：CMOS SRAM
　　容量：64Kbit (8K x 8)
　　组织结构：8192字 × 8位
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：55ns / 70ns / 85ns（根据速度等级）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：28-pin DIP, SOP
　　功耗模式：全静态操作，无须刷新
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大静态电流：≤ 150μA（待机模式）
　　最大动态电流：≤ 35mA（典型操作条件下）
　　片选信号：CS1（低电平有效），CS2（高电平有效）
　　输出使能：OE（低电平有效）
　　写使能：WE（低电平有效）

UT6264CPC具备卓越的电气稳定性与高可靠性，适用于长时间连续运行的工业环境。其核心特性之一是全静态异步设计，这意味着只要电源不断，数据即可永久保存，且无需像DRAM那样周期性刷新，从而降低了系统复杂性和功耗开销。该芯片支持两种片选输入（CS1为低有效，CS2为高有效），使得在多芯片系统中可以通过地址译码精确控制每个存储芯片的激活状态，有效避免总线冲突并提升系统响应效率。在读写操作方面，UT6264CPC具有快速的访问时间，最快可达55纳秒，确保了高速微处理器能够以最小等待周期完成数据交换，显著提升整体系统性能。此外，该器件具备三态输出缓冲器，能够在不使用时将数据总线置于高阻状态，允许多个外设共享同一组数据线，优化了PCB布局与信号完整性。
　　在功耗管理方面，UT6264CPC表现出优异的节能特性。在待机或空闲状态下，芯片自动进入低功耗模式，静态电流极低，典型值低于150微安，有助于延长电池供电设备的工作时间。而在活跃读写过程中，动态电流也控制在合理范围内，减少了热积累和电源负载压力。制造工艺上，UT6264CPC采用先进的CMOS技术，具备良好的抗噪声能力和静电放电（ESD）保护，典型HBM模型下可承受超过2000V的静电冲击，增强了现场使用的鲁棒性。所有引脚均符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造要求。此外，该器件经过严格的老化测试与质量筛选，确保在-40°C至+85°C宽温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。

UT6264CPC广泛应用于各类需要中等容量、高速非易失性缓存或临时数据存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、远程I/O模块和人机界面（HMI）设备中作为程序缓冲区或实时数据暂存区。在通信设备中，如调制解调器、路由器和串口服务器，该芯片可用于协议处理过程中的帧缓冲或命令队列存储，保障数据传输的流畅性与准确性。在消费类电子产品中，UT6264CPC常见于打印机、扫描仪、POS终端及家用安防设备，用于图像缓存、配置参数保存或日志记录等功能。
　　此外，由于其与标准6264系列完全兼容，UT6264CPC也常被用于老旧设备的维护与升级替代，尤其适用于那些仍在使用8位或16位微控制器（如8051、Z80、68HC11等）的传统系统。在嵌入式开发板和教学实验平台中，该芯片因其接口简单、时序清晰而成为学习存储器扩展技术的理想选择。医疗设备中的一些便携式监测仪器也会采用UT6264CPC来实现低功耗、高可靠的数据采集缓冲。同时，在汽车电子辅助系统中，如车载信息终端或CAN总线网关，该SRAM可用于临时存储传感器数据或通信报文，提高系统的响应速度与稳定性。总之，UT6264CPC凭借其稳定性、兼容性和宽温特性，已成为众多中低端嵌入式系统中不可或缺的关键元器件。

IS62C64AL-45L, CY62167E-45ZSXIT, AS6C6416-55PCN2, MCM6264UCP, HM6264BLP-8