时间：2025/12/27 7:18:03
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UT621024LC-70L是一款由UTC（友顺科技）推出的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用先进的CMOS技术制造，具有高可靠性和稳定性。该器件容量为1Mbit（64K x 16位），属于异步SRAM类别，广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统中。UT621024LC-70L封装形式为44-pin LQFP或48-pin TSOP II（具体以数据手册为准），适用于工业控制、通信设备、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子等多种场景。其工作电压范围通常为3.3V ± 10%，能够在商业级温度范围（0°C至+70°C）或工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，具体取决于产品等级。该芯片无需刷新操作，简化了系统设计，并具备出色的抗干扰能力和数据保持能力，在待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用场合。
UT621024LC-70L中的“70”表示其访问时间最大为70纳秒，意味着在地址建立完成后，数据可在70ns内稳定输出，满足大多数中高速系统总线时序需求。该器件支持三态输出，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）信号实现精确的读写控制逻辑。此外，该SRAM兼容TTL电平接口，便于与多种微控制器、DSP或FPGA等主控器件直接连接而无需额外的电平转换电路。由于其成熟的设计和稳定的供货渠道，UT621024LC-70L成为许多传统和升级型系统中的首选SRAM解决方案之一。
容量：1 Mbit
组织结构：64K x 16
工作电压：3.3V ± 10%
访问时间：70 ns
工作温度：0°C 至 +70°C
封装类型：44-pin LQFP 或 48-pin TSOP II
输入/输出电平：TTL 兼容
供电电流（运行模式）：典型值 90 mA
待机电流：典型值 10 μA
三态输出：支持
芯片使能（CE）：低电平有效
写使能（WE）：低电平有效
输出使能（OE）：低电平有效
UT621024LC-70L采用高性能CMOS工艺制造，确保了器件在高速运行下的低功耗表现与电气稳定性。其核心单元基于六晶体管（6T）SRAM架构，提供了优异的数据保持能力和抗噪声性能，避免了动态RAM所需的复杂刷新机制，从而降低了系统设计复杂度。该芯片的最大访问时间为70ns，能够在3.3V电源下支持高达约14MHz的连续读写操作频率，适用于中等速度的处理器总线接口应用。器件具备完整的控制逻辑，包括芯片使能（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）三个独立控制信号，允许系统灵活地管理读写时序并实现多设备总线共享。当所有控制信号处于非激活状态时，器件进入低功耗待机模式，此时电源电流可低至10μA，显著延长电池供电系统的续航时间。
该SRAM的I/O引脚为三态结构，支持高阻抗状态，防止总线冲突，并可通过外部上拉或下拉电阻配置空闲状态电平。所有输入端均具备施密特触发器设计或迟滞特性，增强了对噪声和信号抖动的抑制能力，提升了在恶劣电磁环境下的可靠性。器件符合工业标准的字节使能功能（部分型号支持）允许单独控制高字节（UB）和低字节（LB）的数据传输，提高数据处理效率。UT621024LC-70L还具备良好的热稳定性与长期耐久性，即使在高温环境下也能保持数据完整性，无寿命限制，可无限次读写。其封装形式紧凑，适合高密度PCB布局，并通过了多项国际质量认证，如ISO9001、AEC-Q100（视具体版本而定），适用于严苛工业与车载应用场景。
UT621024LC-70L因其高可靠性、适中速度和低功耗特性，被广泛用于多种需要本地数据缓存或程序存储的电子系统中。常见应用包括工业自动化控制器（PLC）、嵌入式工控主板、数据采集设备、医疗监测仪器、POS终端、打印机与传真机控制器、网络交换机缓冲区、路由器数据暂存单元、测试测量仪器以及汽车信息娱乐系统等。在微控制器系统中，它常作为外部扩展内存使用，用于存放实时运行数据、图形帧缓冲或通信协议栈中间变量。在FPGA或DSP系统中，该SRAM可用于实现高速数据交换缓冲区，提升整体处理效率。此外，由于其TTL电平兼容性和成熟的供应链体系，该芯片也常用于教育实验平台、开发板和原型验证系统中，帮助工程师快速完成系统调试与功能验证。对于需要替代已停产类似型号（如IS61LV25616、CY7C1021）的设计升级项目，UT621024LC-70L提供了良好的软硬件兼容性，减少重新布线和代码修改的工作量。
IS61LV25616-70TLI
CY7C1021DV33-70ZSXI
AS6C1008-70PCN2
M68116FP-70
MB84VDD1665A-70LJNER
