时间:2025/12/27 7:27:59
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UT61256CJC-12是一款由UTC(友顺科技)推出的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用先进的半导体工艺制造,广泛应用于需要高速数据存取和稳定运行的电子系统中。该器件属于64K x 4位的异步SRAM,总容量为256K位(32KB),具备快速的访问时间和稳定的电气性能,适用于工业控制、通信设备、网络设备、消费类电子产品以及嵌入式系统中的数据缓存和临时存储场景。UT61256CJC-12工作电压为3.3V(可兼容部分5V逻辑电平输入),具有标准的JEDEC封装尺寸,便于在现有PCB设计中进行替换和升级。其封装形式为44-pin SOJ(Small Outline J-leaded Package),符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的可靠运行。该芯片无需刷新机制,简化了系统设计,降低了控制器的复杂度,是中小容量高速存储应用的理想选择之一。此外,UT61256CJC-12内部结构优化,具备良好的抗干扰能力和信号完整性,支持三态输出,允许多个存储器共享同一数据总线,从而提升系统集成度与扩展性。
型号:UT61256CJC-12
制造商:UTC(Unisonic Technologies Co., Ltd.)
存储类型:异步SRAM
存储容量:256 Kbit (64K x 4)
供电电压:3.3V ± 0.3V
访问时间:12 ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:44-pin SOJ
接口类型:并行
组织结构:65,536 words x 4 bits
最大写入周期时间:12 ns
待机电流:≤ 2 mA
工作电流:≤ 45 mA
输入/输出逻辑电平:TTL/CMOS 兼容
三态输出:支持
封装尺寸:符合JEDEC MS-044 标准
UT61256CJC-12具备出色的高速读写性能,其典型访问时间为12纳秒,能够满足对实时性要求较高的应用场景需求,例如高速数据采集系统、图像缓冲处理和实时控制系统等。该芯片采用CMOS工艺制造,在保证高速运行的同时实现了较低的动态功耗和极低的静态功耗,尤其在待机模式下电流消耗可低至2mA以下,有助于延长便携式设备或电池供电系统的续航时间。
其64K x 4位的组织结构设计合理,适合用于四位宽数据总线系统,常用于老式微处理器系统、PLC控制器、通信协议转换模块中作为中间缓存。由于其引脚排列符合JEDEC标准,与其他主流厂商的同类产品(如ISSI、Cypress、Renesas等)具有良好的兼容性,便于系统升级或替代选型。
UT61256CJC-12内置高增益触发器单元,确保存储数据的稳定性与可靠性,即使在电源波动或电磁干扰较强的工业环境中也能保持正常运行。所有输入端均设有施密特触发器设计,提升了噪声抑制能力,增强了信号完整性。输出端支持三态控制,允许多片SRAM共用同一数据总线,通过片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号实现精确的时序控制,避免总线冲突。
该器件支持全静态操作,无须时钟或刷新信号,只要电源持续供电即可保持数据不变,极大地简化了外围电路设计。同时,其44-pin SOJ封装具有较小的占地面积和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性,使其成为多种嵌入式系统中不可或缺的关键元器件。
UT61256CJC-12广泛应用于各类需要高速、稳定、非易失性无关的临时数据存储场景。常见于工业自动化控制设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和工控机,用于缓存实时采集的数据或程序中间变量。
在通信领域,该芯片可用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备中作为帧缓冲或协议处理缓存,提升数据包处理效率。在测试与测量仪器中,如数字示波器、逻辑分析仪等,UT61256CJC-12用于高速采样数据的临时存储,确保不丢失关键信号信息。
此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如打印机、扫描仪、多媒体播放器等设备中的图像数据缓冲。在医疗电子设备中,可用于存储传感器采集的生命体征数据,保障数据处理的实时性和准确性。
由于其工业级温度范围和高可靠性,UT61256CJC-12还被用于汽车电子系统、航空航天电子模块以及军事通信设备等对环境适应性要求较高的场合。对于需要进行FPGA或ASIC外部扩展存储的设计,该SRAM也可作为理想的协处理器缓存方案。总之,凡是需要快速、稳定、无需刷新的静态存储解决方案的应用,UT61256CJC-12都是一个可靠的选择。
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