型号：UT60T03G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：DFN3x3-8L
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：19A @ 25°C, 12A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：76A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V, 6.0mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：17nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：920pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：17ns
　　反向恢复时间(trr)：22ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳(RθJC)：2.5°C/W
　　热阻结到环境(RθJA)：45°C/W

UT60T03G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至4.5mΩ，有效减少大电流下的功率损耗，提高系统效率。其低RDS(on)特性使其适用于高电流密度应用场景，如大功率DC-DC变换器和同步整流电路，在这些场合中，降低导通损耗是提升能效的关键因素。同时，该器件具备优异的热稳定性，即使在高温环境下也能维持较低的电阻值，避免因温度上升导致性能下降的问题。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg仅为17nC（@VGS=10V），这一低值意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的负担并减少开关损耗。对于高频工作的电源拓扑（如同步降压、半桥或全桥结构），低Qg可以显著提升开关速度，缩短开关时间，从而减少交叉导通期间的能量损耗，进一步优化整体能效表现。此外，输入电容Ciss为920pF，在同类产品中处于较低水平，有利于减小高频噪声和电磁干扰（EMI）。
　　UT60T03G-TN3-R具备出色的动态性能，开启延迟时间仅为8ns，关断延迟时间为17ns，结合快速的反向恢复时间trr=22ns，使其在高频开关应用中表现出色。这使得它非常适合用于高频率PWM控制的电源系统，例如服务器电源、通信设备电源模块以及车载电子系统中的电压调节模块（VRM）。快速的开关响应能力不仅提升了系统的动态响应速度，也有助于缩小外围滤波元件的体积，实现更高集成度的设计。
　　该器件采用DFN3x3-8L封装，具有极低的热阻（RθJC=2.5°C/W），能够高效地将芯片产生的热量传导至PCB，从而提升散热效率。相比传统SOP-8封装，DFN封装底部带有裸露焊盘，可通过大面积敷铜接地实现良好散热，特别适合贴装在紧凑型PCB上使用。此外，小型化封装有助于节省布板空间，满足现代电子产品轻薄化、微型化的发展趋势。整体设计兼顾电气性能与热管理需求，确保在高负载持续运行下仍能保持可靠性和稳定性。

UT60T03G-TN3-R广泛应用于多种高性能电源管理系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其适用于多相供电架构的CPU/GPU供电模块，凭借其低RDS(on)和低Qg特性，可在高电流输出条件下实现高效能量转换。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件常用于电池充放电管理电路和负载开关控制，提供低静态功耗和快速响应能力。此外，在电机驱动电路中，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，UT60T03G-TN3-R可用于上下桥臂开关，实现精确的电流控制与能耗优化。在LED背光驱动和恒流源设计中，也可作为主控开关元件，保证亮度稳定与系统效率。由于其良好的高温工作能力和抗冲击性能，该MOSFET还适用于工业控制、智能家居网关、网络通信设备等需要长期稳定运行的嵌入式系统。在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元中，UT60T03G-TN3-R因其符合AEC-Q101可靠性标准的部分版本要求（需确认具体认证状态），也逐渐获得应用。总之，该器件适用于所有需要高效率、高频率、小尺寸和良好热性能的功率开关场合。

SiSS112DN-T1-GE3