型号：UT5N06
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

UT5N06具备出色的导通性能与开关特性，其低导通电阻Rds(on)确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为0.13Ω，而在驱动电压为4.5V的逻辑电平下也能维持0.17Ω的低阻状态，这使得它不仅适用于标准栅极驱动电路，也兼容部分逻辑电平直接驱动的应用场景，增强了设计灵活性。
　　该器件具有较高的电流承载能力，在25℃环境温度下可支持5A的连续漏极电流，并能承受高达20A的脉冲电流，适用于瞬态负载较大的应用场景。其优化的栅极电荷（Qg=12nC）设计降低了驱动功耗，有助于实现高频开关操作，减少开关损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　UT5N06采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提升了单位面积下的电流密度，同时改善了热稳定性与可靠性。器件内部结构经过优化，具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在异常电压冲击下保持安全运行，提高了系统的鲁棒性。此外，其较低的输入、输出电容（Ciss=520pF, Coss=190pF）减少了开关过程中的充放电时间，进一步提升了响应速度与效率。
　　热性能方面，TO-252封装提供了优良的散热路径，结合50W的最大功耗能力，使UT5N06能在高功率密度设计中可靠工作。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）保证了在严苛环境下的稳定性，适用于工业级和车载电子设备。整体而言，UT5N06以其均衡的性能指标、高可靠性和成本优势，成为中小功率电源系统中的主流选择之一。

UT5N06广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，典型用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和小型电源模块，其高效的开关特性和低导通损耗有助于提升能效并减小散热需求。在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）拓扑结构，UT5N06均可作为主开关管或同步整流管使用，尤其适合工作频率较高的设计。
　　该器件也常用于电机驱动电路，例如小型直流电机、步进电机的H桥驱动，凭借其快速的开关响应和较强的电流驱动能力，能够有效控制电机启停与转向，降低发热。在LED照明驱动电源中，UT5N06可用于恒流控制回路中的功率开关，支持高效、稳定的LED亮度调节。
　　此外，UT5N06还适用于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS不间断电源、家用电器控制板以及工业自动化设备中的电源模块。由于其封装形式为TO-252，便于自动化贴片生产，适合大规模量产。在需要紧凑布局和高效散热的设计中，UT5N06的表现尤为突出。其耐用性和环境适应性也使其可用于车载电子辅助电源、便携式设备电源管理等领域。总之，凡涉及中等电压、中等电流且对效率和成本有综合考量的功率开关应用，UT5N06均是一个可靠的选择。

AP2306GN
　　SI2306DS
　　AO3400