时间：2025/12/27 7:29:11
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UT5504L-TN3-R是一款由UTC（友顺科技）推出的高效率、高耐压的同步整流MOSFET，专为反激式（Flyback）电源拓扑中的次级侧整流应用设计。该器件采用先进的沟槽型功率MOSFET工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关响应以及优异的热稳定性，能够显著提升电源转换效率并降低系统功耗。UT5504L-TN3-R广泛应用于各类AC-DC电源适配器、充电器、LED驱动电源以及小型家电电源模块中，尤其适用于追求高能效和紧凑设计的便携式电子设备。该器件封装形式为SOT-23，具有体积小、便于自动化贴装的优点，适合高密度PCB布局。此外，其内部集成了保护机制，可有效防止过热和过电流对器件造成损伤，提高系统可靠性。作为一款绿色环保型元器件，UT5504L-TN3-R符合RoHS指令要求，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保的严格标准。
型号：UT5504L-TN3-R
制造商：UTC（UniIC Group）
器件类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@ VGS = 10V）
栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=20V
开启延迟时间（td(on)）：10ns
关断延迟时间（td(off)）：25ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
安装类型：表面贴装（SMD）
UT5504L-TN3-R具备卓越的电气性能与热管理能力，其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），仅为18mΩ，在大电流工作条件下显著降低了导通损耗，从而提升了整体电源系统的转换效率。这一特性在轻载和满载工况下均表现优异，有助于满足能源之星、CoC等国际能效标准。该器件采用先进的沟道设计和优化的芯片结构，确保了稳定的跨导（Transconductance）和良好的线性输出特性，使其不仅适用于开关整流，也可用于精确的电流检测与控制回路中。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为8nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，进一步降低了驱动损耗并简化了驱动设计。同时，其输入电容和输出电容之间的平衡良好，减少了开关过程中的振荡风险，提高了系统的EMI兼容性。UT5504L-TN3-R具备出色的动态性能，开关速度极快，开启和关断延迟时间分别仅为10ns和25ns，适用于高频开关电源（如工作频率高达100kHz以上的反激变换器），有助于减小磁性元件体积，实现电源小型化。
在可靠性方面，UT5504L-TN3-R通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣工作环境下的长期稳定运行。其最大结温可达150°C，并内置热关断保护机制，当芯片温度异常升高时可自动限制电流，防止热失控。此外，SOT-23封装虽小巧，但通过优化引脚设计和材料选择，实现了良好的散热性能，配合PCB铺铜可有效传导热量，延长器件寿命。
该器件还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定能量而不损坏，增强了系统鲁棒性。其栅源电压耐受范围宽（±20V），避免因驱动信号波动导致栅氧层击穿。总体而言，UT5504L-TN3-R在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择。
UT5504L-TN3-R主要用于中小功率开关电源中的同步整流电路，特别是在反激式拓扑的次级侧替代传统肖特基二极管，以提升效率并降低温升。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的AC-DC电源适配器，其中高频高效运行至关重要。此外，它也广泛用于USB PD快充充电器、多口桌面充电站等高集成度电源产品中，帮助实现更高的功率密度和更低的空载功耗。
在LED照明领域，UT5504L-TN3-R可用于恒流驱动电源的次级整流环节，尤其适用于隔离式反激驱动方案，提升灯具的整体光效和使用寿命。由于其封装小巧，特别适合空间受限的嵌入式灯具设计。在家用电器中，如智能音箱、路由器、监控摄像头等内置电源模块，该器件可有效降低待机功耗，满足能源法规要求。
工业控制与物联网设备中的分布式供电系统也常采用此类同步整流MOSFET，以提高电源效率并减少散热需求。UT5504L-TN3-R还可用于电池充电管理电路、DC-DC转换模块以及辅助电源（Auxiliary Power Supply）设计中，作为低电压大电流整流元件。其快速响应能力和低导通损耗使其在负载瞬变条件下仍能保持稳定输出。总之，凡需高效、小型化、低成本直流整流解决方案的场合，UT5504L-TN3-R均具有广泛应用价值。
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