型号：UT50N06
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：600V
　　连续漏极电流(ID)：50A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：200A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：0.085Ω @ VGS=10V, ID=25A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：3300pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

UT50N06采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备出色的电气性能和热稳定性。其最大漏源击穿电压高达600V，能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，尤其适用于AC-DC转换器中的主开关应用。器件的低导通电阻RDS(on)仅为85毫欧姆，在大电流工作状态下可显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，由于采用了优化的芯片结构，UT50N06具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有利于简化驱动电路设计并减少EMI干扰。
　　该MOSFET具备良好的热性能，结温最高可达150°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。其快速的开关响应能力和较短的反向恢复时间使得体二极管在续流过程中表现优异，减少了开关过程中的能量损耗，尤其在硬开关拓扑如反激、正激和半桥电路中优势明显。此外，UT50N06内部未集成快恢复二极管，依赖于本征体二极管进行续流，因此在需要快速关断的应用中建议配合外部肖特基二极管使用以改善性能。
　　在可靠性方面，UT50N06通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保长期使用的稳定性。其封装采用标准TO-220或TO-247形式，具备良好的散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。该器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不损坏，提高了整个电源系统的鲁棒性。综合来看，UT50N06是一款性价比高、适用范围广的中高压功率MOSFET，适合用于多种电源拓扑结构中。

UT50N06广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC开关电源的主开关管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为功率开关元件。它也常用于DC-DC转换器中，例如在升压（Boost）、降压（Buck）或半桥式转换器中实现高效的能量转换。此外，该器件适用于工业控制设备中的电机驱动电路，作为低端开关或H桥驱动的一部分，提供快速响应和低功耗特性。
　　在照明电源领域，UT50N06可用于LED驱动电源的设计，尤其是在恒流输出的隔离型电源方案中，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高整体能效并降低温升。同时，该MOSFET也可用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担高频开关任务。
　　由于其良好的热稳定性和较高的电流承载能力，UT50N06还适用于家电产品中的电源模块，如空调、洗衣机和电磁炉等内部的辅助电源或主电源控制部分。在充电设备中，如电动车充电桩或手机快充适配器中，该器件可用于PFC（功率因数校正）电路或LLC谐振变换器中，提升系统的功率密度和转换效率。总之，UT50N06凭借其600V耐压、50A额定电流和低RDS(on)等优势，在多种电力电子应用中表现出色，是中等功率电源设计的理想选择之一。

FQP50N06L
　　STP50N06FP
　　IRF50N06