时间：2025/12/27 8:53:42
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UT50N04是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺技术制造，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。该器件设计用于在40V的漏源电压下工作，具备优良的热稳定性和可靠性，能够在较高的环境温度下持续运行。UT50N04因其优异的性能表现，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及便携式电源系统中。该芯片封装形式通常为TO-252（DPAK），具有良好的散热能力，便于在紧凑型电路板上布局安装。
作为一款性价比高的功率MOSFET，UT50N04在同类产品中表现出较低的导通电阻与栅极电荷，有助于降低系统功耗并提升整体能效。其结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力和抗过载能力，从而增强了系统的安全裕度。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品的环保要求。由于其广泛的应用适配性，UT50N04成为许多电源管理设计工程师首选的功率开关元件之一。
型号：UT50N04
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：50A
脉冲漏极电流(IDM)：200A
导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=10V, ID=25A
导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=4.5V, ID=25A
阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
输入电容(Ciss)：3900pF @ VDS=20V
输出电容(Coss)：850pF @ VDS=20V
反向恢复时间(trr)：30ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
UT50N04采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而实现更高的电流承载能力与更低的能量损耗。其RDS(on)在VGS=10V时仅为17mΩ，意味着在大电流工作状态下仍能保持较低的温升，有利于提高电源系统的转换效率。同时，该器件在VGS=4.5V时也能实现22mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动兼容性，适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如电池供电设备或微控制器控制的开关电路。
该MOSFET具有优异的开关特性，输入电容和输出电容分别控制在3900pF和850pF左右，配合较低的栅极电荷（典型Qg约60nC），使得器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的动态损耗。这对于提升DC-DC变换器的工作频率、缩小外围滤波元件体积具有重要意义。此外，反向恢复时间trr仅为30ns，说明体二极管响应速度快，在同步整流等存在反向电流的应用中可减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰问题。
在可靠性方面，UT50N04经过严格的质量测试，具备出色的抗雪崩能力和热稳定性。器件的最大工作结温可达+150℃，支持在高温环境下长期稳定运行。内置的体二极管也经过优化设计，能够在瞬态负载切换或感性负载关断时提供可靠的续流路径。封装采用TO-252形式，底部带有散热片，可通过PCB上的铜箔进行高效散热，进一步提升功率密度和系统可靠性。整体而言，UT50N04是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的N沟道MOSFET，非常适合对效率和空间有严苛要求的设计需求。
UT50N04广泛应用于各类中低电压功率开关场景。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源模块中作为主开关管或同步整流管使用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升电源效率，满足能源之星等能效标准要求。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常被用作高端或低端开关，适用于车载电子、工业仪表、网络通信设备等领域的电压调节模块。
此外，UT50N04也适用于电机驱动电路，例如小型直流电机、步进电机的H桥驱动方案中，作为功率输出级的核心元件。其高电流承载能力（连续漏极电流达50A）使其能够驱动较大功率的负载，同时快速的开关响应保证了电机控制的精确性与动态响应速度。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于充放电回路的通断控制，凭借其低损耗特性延长电池续航时间。
其他应用还包括LED驱动电源、逆变器、UPS不间断电源、电动工具、智能家居控制模块等。由于其封装为TO-252，易于手工焊接和自动化贴装，因此既适用于小批量原型开发，也适合大规模量产。在需要并联使用的高功率设计中，UT50N04的一致性良好，便于实现均流设计。总之，只要是在40V以下电压平台需要高效功率切换的场合，UT50N04都是一个极具竞争力的选择。
AP50N04GP
AON50N04
SI4946DY-T1-E3
FDS5672
