型号：UT50N03G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：50A
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：4.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：6.2mΩ
　　阈值电压(Vth)@ID=1mA：1.0V~2.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=15V：2800pF
　　输出电容(Coss)@VDS=15V：1100pF
　　反向恢复时间(trr)：未集成体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3-8L

UT50N03G-TN3-R采用了先进的沟槽式MOSFET工艺技术，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而实现极低的RDS(on)，有效减少导通损耗，提高电源系统的整体效率。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，使其特别适用于大电流、低电压的应用场景，如大功率同步整流和高效DC-DC变换器。其低导通电阻不仅有助于减小发热，还能允许更高的电流承载能力，提升系统的功率密度。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），可以支持高频开关操作，进一步缩小外围滤波元件的体积，优化整体设计紧凑性。
　　该器件采用DFN3x3-8L封装，具有极低的热阻特性（典型θJC约为1.5°C/W），可有效将芯片内部热量传导至PCB，配合良好的布局布线设计，能够在不使用额外散热片的情况下承受较高功率的持续运行。此封装尺寸小巧，仅3mm×3mm，节省宝贵的PCB空间，非常适合便携式设备和高集成度模块化电源设计。同时，DFN封装具备优异的电气性能，引脚寄生电感小，有利于抑制开关过程中的电压振荡，提升系统EMI表现。
　　UT50N03G-TN3-R具备良好的栅极氧化层可靠性，最大栅源电压可达±20V，提供了足够的驱动兼容性，可与常见的驱动IC或控制器直接接口。其阈值电压范围为1.0V~2.0V，确保了在逻辑电平信号下也能可靠开启，适用于3.3V或5V驱动环境。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的安全裕度。综合来看，UT50N03G-TN3-R凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

UT50N03G-TN3-R广泛应用于多种需要高效能、高电流开关能力的电力电子系统中。在DC-DC降压变换器中，它常被用作同步整流的下管或主开关管，利用其低RDS(on)特性显著降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于服务器电源、笔记本电脑主板供电及通信设备电源模块等对能效要求严格的场合。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的通断控制，因其低导通压降可减少能量浪费，延长续航时间，同时其高电流承载能力满足动力电池包的大电流需求。
　　在电机驱动电路中，UT50N03G-TN3-R可用于H桥拓扑中的低端或高端开关，驱动直流有刷电机或步进电机，其快速的开关响应能力有助于实现精确的PWM调速控制。此外，在负载开关应用中，该MOSFET可作为电源路径的通断控制元件，用于热插拔电路或电源域隔离，防止浪涌电流冲击后级电路，保护敏感器件。其快速的开启和关闭特性可通过外部RC网络进行调节，实现软启动功能。
　　该器件也适用于便携式电源设备，如移动电源、USB PD快充适配器中的次级同步整流环节，帮助实现高效率的小型化设计。在LED驱动电源中，可用于恒流调节回路中的开关元件，配合控制芯片实现精准亮度调节。由于其DFN封装具有良好的散热性能，即使在密闭空间内长时间运行也能保持稳定工作温度，因此在工业自动化设备、智能家电和物联网终端设备中均有广泛应用前景。

SI7959DP-T1-GE3