时间：2025/12/27 8:04:35
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UT4446G-SO8-R是一款由UTC（友顺科技）推出的高效率同步降压型DC-DC转换器，采用SO-8封装形式，并带有散热焊盘，适用于中等功率的电压调节应用。该芯片内部集成有高压侧和低压侧功率MOSFET，能够实现高达3A的持续输出电流，同时具备良好的热稳定性和转换效率。UT4446G工作输入电压范围宽，通常在4.5V至28V之间，适合用于工业控制、消费类电子、网络通信设备以及分布式电源系统等多种应用场景。其恒定导通时间（COT）控制模式使得负载瞬态响应极为快速，无需外部补偿即可保持环路稳定，简化了设计流程并减少了外围元件数量。此外，该器件具备过流保护、过温保护、欠压锁定（UVLO）和输出过压保护等多种安全机制，提升了系统的可靠性与安全性。UT4446G-SO8-R为无铅环保产品，符合RoHS标准，支持绿色制造要求。
型号：UT4446G-SO8-R
封装：SO-8 with Exposed Pad
工作输入电压范围：4.5V ~ 28V
输出电压范围：0.8V ~ 输入电压
最大输出电流：3A
开关频率：典型值500kHz
控制方式：COT（恒定导通时间）
反馈参考电压：0.8V ±1%
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
静态电流：约2.5mA
关断电流：小于1μA
保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定、输出过压保护
UT4446G-SO8-R采用恒定导通时间（COT）控制架构，这一特性赋予其卓越的瞬态响应能力。当负载电流发生突变时，COT控制机制能迅速调整开关导通时间，以最小延迟调节输出电压，从而显著降低输出电压的过冲与下冲现象。由于该控制模式具有固有的稳定性，无需额外的环路补偿网络，这不仅简化了电路设计，还减少了外部元器件的数量和PCB占用面积，提高了整体系统的可靠性。此外，COT架构允许使用小型陶瓷输出电容，进一步优化成本与体积。
该芯片集成了上管和下管N沟道MOSFET，其中上管MOSFET耐压可达28V以上，确保在宽输入电压范围内稳定运行。集成MOSFET的设计不仅提升了功率密度，还通过优化内部驱动匹配增强了转换效率。在典型应用条件下，满载效率可超过90%，尤其在中高输入电压与中等输出电压配置下表现优异。高效的能量转换减少了热损耗，配合SO-8EP封装的底部散热焊盘，热量可通过PCB有效传导至地层或散热区域，从而保证长时间工作的热稳定性。
UT4446G-SO8-R具备多重保护机制，全面保障系统安全。内置的逐周期过流保护（OCP）可实时监测电感电流，在异常情况下迅速关断开关动作；过温保护（OTP）在芯片结温超过安全阈值时自动切断输出，防止热损坏；欠压锁定（UVLO）确保芯片仅在供电电压达到正常工作范围后才启动，避免低电压下的不稳定运行；输出过压保护（OVP）则在反馈失效或输出短路开路时限制最高输出电压，保护后级负载器件。这些保护功能共同构建了一个高可靠性的电源解决方案，适用于对稳定性要求较高的工业与通信设备。
UT4446G-SO8-R广泛应用于需要高效、紧凑型DC-DC降压解决方案的场合。常见应用包括工业自动化控制系统中的板级电源，如PLC模块、传感器供电单元和HMI人机界面设备，其宽输入电压范围能够兼容多种工业电源总线（如12V、24V）。在网络通信领域，该芯片可用于路由器、交换机和光模块的局部稳压电源，提供稳定的3.3V、2.5V或1.8V等常用逻辑电压。消费类电子产品如智能家电、机顶盒和安防摄像头也可利用其高效率和小尺寸优势，实现节能与小型化设计。此外，在分布式电源架构中，UT4446G可用于中间母线电压（如12V或24V）转为负载点（POL）所需的低电压，适用于FPGA、MCU、ASIC等核心器件的供电。其优异的瞬态响应和稳定性也使其适用于对动态负载敏感的应用场景。
UT4446G, MP2315, SY8303, XC9236, RT8289
